Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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高移動度デバイスとして期待の高いGeデバイスの輸送特性の解析を行った.フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーションにより,短チャネルバルク型歪みGe-pMOSFETの正孔輸送特性の解析を行い,ドレイン電流の応力依存性,チャネル方向ならびに面方位の依存性について,そのメカニズムの解明を試みた.本研究では,単なる移動度に基づく議論を超えた,バルク型MOSFETの実デバイス構造上におけるキャリアのソース注入電流やチャネルでの後方散乱といった,キャリア輸送で重要な要素に基づいた詳細な議論を行う.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-23
著者
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羽根 正巳
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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河田 道人
株式会社nec情報システムズ
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竹田 裕
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹田 裕
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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