Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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MOSFETにおけるゲート酸化膜を介したゲートトンネル電流を計算した.ゲートトンネル電流の理論は様々なものが提案されているが,本研究ではPriceにより提案されたGamovの方法[PJ.Price, Appl. Phys. Lett. 82,2080(2003)]に基づく方法を用いてトンネル電流の計算を行った.MOSFET反転層内2次元電子ガスの電子状態のSchrodinger-Poisson自己無撞着計算を行い,その結果を用いてGamovの方法によりトンネル電流の計算を行った.はじめに,メタルゲートのn型MOSFETにGamovの方法を適用し,次にpoly-SiゲートMOSFETの取り扱い方法を検討し,最後に計算結果と実験値との比較を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-09-21
著者
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
森 伸也
大阪大学 大学院工学研究科
-
岡本 真輝
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
竹田 裕
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
竹田 裕
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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