歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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非平衡グリーン関数法に半経験的なsp^3d^5s^*強結合近似法を導入した量子輸送シミュレータを用いて1次元シリコンナノ構造のバリスティック電流を計算した.特に,シリコンナノ構造に歪領域を導入することによるバリスティック電流の変化について詳細に調べた.
- 2006-09-19
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