極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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非平衡グリーン関数法を用いた3次元量子輸送シミュレーションを極微細MOSFETについて行った.シミュレーションの結果,チャネル領域からゲート電極へトンネルするキャリアの透過関数はエネルギーが高くなるにつれ減少することが分かった.また,界面ラフネスのあるデバイスのトンネル電流についても計算した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-06
著者
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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森 伸也
大阪大学 大学院工学研究科
-
三成 英樹
大阪大学 大学院工学研究科
-
三成 英樹
大阪大学大学院工学研究科
-
西谷 大祐
大阪大学大学院工学研究科
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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