極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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非平衡グリーン関数法と強結合近似法を用いることにより,原子論的手法に基づく量子輸送シミュレーションを結晶方位の異なる4種類の極薄ダブルゲートSOI MOSFETについて行った.シミュレーションを行ったデバイスは(i)(100)基板上の<100>チャネルデバイス,(ii)(100)基板上の<110>チャネルデバイス,(iii)(110)基板上の<100>チャネルデバイス,(iv)(110)基板上の<110>チャネルデバイスである.シミュレーションの結果,量子閉じ込めに起因する重い正孔と軽い正孔の混合により,結晶方位の違いがバリスティックなホール電流成分に非常に強く影響することがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-23
著者
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森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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森 伸也
大阪大学 大学院工学研究科
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三成 英樹
大阪大学 大学院工学研究科
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三成 英樹
大阪大学大学院工学研究科
-
西谷 大祐
大阪大学大学院工学研究科
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森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
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森 伸也
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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