離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 : KMCとNEGFによる研究(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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• 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について,動的モンテカルロ(KMC)法と非平衡グリーン関数(NEGF)法を用いて調べた.KMCを用いてナノワイヤトランジスタにおける不純物配置を計算し,その結果をNEGFシミュレータに導入することにより,離散不純物が電流電圧に及ぼす影響を調べた.ゲート長10nmの3nm×3nmシリコンナノワイヤトランジスタの場合,離散不純物デバイスの平均トレイン電流は,一様連続ドープデバイスのトレイン電流より,20%程度減少した.また,平均電流で規格化したドレイン電流揺らぎは,20%程度となった.

• 2012-11-08

著者

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学 大学院工学研究科

• 三成 英樹

  大阪大学大学院工学研究科

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 伊藤 公平

  独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 植松 真司

  独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 植松 真司

  独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 三成 英樹

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

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