21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 秋山 亨

  三重大工

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 赤木 和人

  東大院理

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 赤木 和人

  東北大

• 赤木 和人

  東大理

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 常行 真司

  NTT物性基礎研

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