29pPSB-63 InAs(111)A表面上のIn吸着原子に起因する電子状態の理論検討(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2009-03-03

著者

• 中村 浩次

  三重大工

• 秋山 亨

  三重大工

• 伊藤 智徳

  三重大工

• 蟹澤 聖

  NTT物性科学基礎研究所

• 中村 浩次

  三重大院工

• 秋山 亨

  三重大院工

• 伊藤 智徳

  三重大院工

• 伊藤 智徳

  Ntt厚木通研

• 伊藤 智徳

  NTT LSI研究所

• 中村 浩次

  三重大学大学院工学研究科

• 蟹澤 聖

  Ntt物性基礎研

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科物理工学専攻

• 中村 浩次

  三重大学工学研究科

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