伊藤 智徳 | 三重大学工学部物理工学科
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概要
関連著者
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伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
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伊藤 智徳
三重大工
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伊藤 智徳
Ntt厚木通研
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伊藤 智徳
NTT LSI研究所
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秋山 亨
三重大工
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科物理工学専攻
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中村 浩次
三重大学工学研究科
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中村 浩次
三重大工
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中村 浩次
三重大学大学院工学研究科
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伊藤 智徳
三重大学工学研究科
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伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
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寒川 義裕
九大・応力研
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伊藤 智徳
三重大学大学院工学研究科
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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纐纈 明伯
東京農工大
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北岡 幸恵
三重大工
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
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加藤 雄大
三重大工
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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三宅 正浩
三重大工
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太田 英二
慶應義塾大学
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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武田 京三郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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岡島 康
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大野 隆央
物材機構
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小山 紀久
物材機構
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寒川 義裕
学習院大学計算機センター
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太田 英二
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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太田 英二
慶大 理工
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秋山 亨
三重大学工学研究科
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武田 京三郎
早稲田大学 理工学術院
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中井澤 友昭
三重大工
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影島 博之
NTT物性基礎研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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蟹澤 聖
NTT物性科学基礎研究所
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田口 明仁
NTT物性基礎研
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入澤 寿美
学習院大学
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大鉢 忠
同志社大学工学部
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小山 紀久
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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白石 賢二
NTT 物性科学基礎研究所
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山口 浩司
NTT 物性科学基礎研究所
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大野 隆央
物質 ・ 材料研究機構
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小山 紀久
金属材料技術研究所究所
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大野 隆央
金属材料技術研究所究所
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松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
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秋山 亨
三重大学工学部
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森 篤史
徳島大学工学部
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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中村 浩次
三重大院工
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秋山 亨
三重大院工
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伊藤 智徳
三重大院工
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大鉢 忠
同志壮大学工学部
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大鉢 忠
同志社大・理
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寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
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纐纐 明伯
東京農工大学工学部応用分子化学科
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平岡 佳子
(株)東芝研究開発センター
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入澤 寿美
学習院大計セ
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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島袋 力
三重大工
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平岡 佳子
東芝 研開セ
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纐纈 明伯
東京農工大学工学部応用分子化学科
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堀田 浩司
東大総合文化
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蟹澤 聖
Ntt物性基礎研
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川野 潤
九州大学応用力学研究所
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屋山 巴
九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
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林 宏一
三重大工
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堀田 浩司
三重大工
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北西 史弥
三重大工
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中村 浩次
三重大学工
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伊藤 智徳
三重大学大学院 工学研究科
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中村 浩次
三重大学大学院 工学研究科
著作論文
- 20aPS-38 γ-Feにおけるスピンスパイラル構造と格子歪(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSA-29 Cr_2O_3薄膜表面における電子構造と外部電場効果(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSA-7 MgO/強磁性体/MgOサンドイッチ構造の結晶磁気異方性に対する電場効果(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 25pPSA-5 Cr_2O_3薄膜における電子構造と外部電場効果(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 25aPS-56 (Ga,In,Mn)As及び(Ga,In,Mn)Nの相安定性と磁気構造(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-75 Cr_2O_3(0001)表面構造の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aPS-69 (Al,Cr)_2O_3の電子構造と磁気構造(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- 29pPSB-63 InAs(111)A表面上のIn吸着原子に起因する電子状態の理論検討(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Si酸化における界面反応の第一原理計算(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pPSB-9 遷移金属単原子層膜におけるスパイラル磁気構造(27pPSB 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
- GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論的検討(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
- エピタキシャル成長素過程への量子論的アプローチ(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
- 26pPSA-43 コランダム型Al_2O_3における遷移金属不純物電子状態の第一原理計算(26pPSA 領域8ポスターセッション(低温2),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aPS-80 MnドープGaInAs及びGaInN混晶半導体の電子構造と構造安定性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPS-40 ホイスラー型Ni_2Mn(Ga,Al,In)合金における構造安定性と結晶磁気異方性(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-76 酸化物における磁性不純物の電子構造と光学的性質(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-60 MnドープIII-V族混晶半導体における電子構造と磁気光学的性質(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-20 スピンスパイラル構造における磁気抵抗の第一原理計算(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-37 Fe基板上のMgO単原子層膜の構造安定性と電気磁気効果(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 外部電場下における遷移金属表面界面の結晶磁気異方性 : 第一原理計算による理論的予測