太田 英二 | 慶應義塾大学大学院理工学研究科
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概要
関連著者
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太田 英二
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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太田 英二
慶大理工
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佐藤 徹哉
慶大理工
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太田 英二
慶大 理工
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奥 隆之
慶大理工
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武田 京三郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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小山 紀久
物材機構
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太田 英二
慶應義塾大学
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武田 京三郎
早大理工
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高谷 直樹
慶大理工
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入江 雄一郎
慶大理工
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小山 紀久
慶大理工
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白石 賢二
NTT基礎研
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安藤 大観
慶大理工
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谷山 智康
慶大理工
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Taniyama T
東工大応セラ研
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大和田 雅洋
慶大理工
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谷山 智康
東工大応セラ研
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佐藤 寿彦
東京工科大学工学部
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佐藤 寿彦
東京工科大学
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横山 勝
石巻専修大学理工学部
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柳原 英人
慶大理工
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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佐藤 寿彦
東京工科大 工
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山口 泰規
慶大理工
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伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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岡島 康
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大野 隆央
物材機構
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太田 茂輝
慶大理工
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影島 博之
NTT物性基礎研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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宮崎 康晶
NTT物性科学基礎研究所
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武田 全康
東北大理
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古坂 道弘
高エネ研
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佐藤 徹哉
慶應義塾大学理工学研究科
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桑原 健
慶大理工
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小川 智之
東北大工
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古坂 道弘
東北大・理
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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河合 英紀
慶大理工
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小川 智之
慶大理工
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伊藤 公平
慶大理工
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中川 英明
慶大理工
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横山 勝
慶大理工
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宮崎 康晶
Ntt物性科学基礎研究所:慶應義塾大学大学院理工学研究科
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
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古坂 道弘
北海道大学
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小野 行徳
Ntt
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古坂 道弘
北大院工
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伊藤 智徳
三重大学工学研究科
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古坂 道弘
北海道大学大学院工学研究院量子理工学部門
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武田 京三郎
早稲田大学 理工学術院
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岡 浩太郎
慶應義塾大学先端生命科学研究所
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伊藤 厚子
お茶の水大理
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森本 せつ
お茶の水大、理
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大野 隆央
金材技研
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小山 紀久
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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白石 賢二
NTT 物性科学基礎研究所
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山口 浩司
NTT 物性科学基礎研究所
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大野 隆央
物質 ・ 材料研究機構
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小山 紀久
金属材料技術研究所究所
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大野 隆央
金属材料技術研究所究所
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岡島 康
早大理工
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伊藤 智徳
NTTフォトニクス研
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小山 紀久
慶大院理工
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太田 英二
慶大院理工
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高野 敏明
慶大理工
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岡 浩太郎
慶大・理工・計測
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森本 せつ
お茶大理
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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羽田 紘一
石巻専修大学理工学部電子材料工学科
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横山 勝
慶應義塾大学理工学部
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佐藤 寿彦
東京工科大学工学部電子工学科
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羽田 紘一
石巻専修大 理工
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羽田 紘一
石巻専修大
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笠毛 邦弘
農林水産省農業生物資源研究所
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小川 力
慶大理工
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太田 英二
慶應義塾大学理工学部
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加藤 亨
慶大理工
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常盤 幸恵
慶應義塾大学理工学部計測工学科
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川合 英紀
慶大理工
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山口 泰則
慶大理工
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Ohta S
慶大理工
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太田 英二
Fac.Sci.& Tech., Keio Univ.
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武田 全康
日本原子力研究開発機構
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伊藤 厚子
お茶の水大・理
著作論文
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
- 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
- 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
- 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
- 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
- 28a-PS-24 Coフェライト微粒子における磁化の量子トンネル現象II
- 6a-PS-116 カドミウムフェライト超微粒子の磁性
- 共沈法Cdフェライトの磁性II
- 29a-PS-1 共沈法Cdフェライトの磁性 I
- AuFe超微粒子の磁性III
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 講演大会特集号に寄せて
- 28a-PS-64 磁性微粒子LB膜の磁性III
- 14a-PS-11 磁性微粒子LB膜の磁性II
- 29a-PS-70 NiMn薄膜の成膜条件とそのスピングラス特性
- 2p-PSB-43 イオンビームスパッタリング法により作成されたNiMn薄膜のスピングラス特性 II
- 30p-PSA-14 イオンビームスパッタリング法により作成されたNiMn薄膜のスピングラス特性
- 30p-PSA-12 スピングラスNiMnの非線型磁化率II
- PdおよびPdFe超微粒子の表面磁性
- 29a-PS-71 AuFe超微粒子の磁性II
- 28a-PS-65 AuFe超微粒子の磁性
- 15a-PS-48 Pd超微粒子の偏極中性子散乱II
- 磁気的ターゲティングのための磁性微粒子含有リポソ-ムの作成と特性評価
- X線回折による超微粒子カドミウムフェライトのイオン配置
- 半磁性半導体Cd_Mn_xTeの光誘起磁化の組成依存性
- Cd_Mn_xFe_yTeの高温におけるスピングラス様磁性
- 30p-PSA-17 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性III
- 13p-PSA-33 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性II
- Coフェライト微粒子における磁化の量子トンネル現象
- 強磁性微粒子分散高分子の中性子小角散乱II
- 強磁性微粒子LB膜の評価および磁気的性質II
- 29p-PSB-39 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeの磁性に及ぼす光照射の影響III
- 29a-PS-72 Cd_Mn_xFe_yTeの磁気的性質 III
- 29a-PS-6 強磁性微粒子LB膜の評価および磁気的性質
- 29a-PS-5 強磁性微粒子分散高分子の中性子小角散乱
- 3p-PSA-18 金属スピングラスNiMnの磁気光学効果
- 3p-PSA-14 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeの磁化に及ぼす光照射の影響 II
- 30p-PSA-23 希薄磁性半導体Cd_MnxTeの磁下に及ぼす光照射の影響
- 30p-PSA-16 Cd_Mn_XFe_YTeの磁気的性質II
- 13p-PSA-31 Cd_Mn_xFe_yTeの磁気的性質