28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-03-17
著者
-
武田 京三郎
早大理工
-
武田 京三郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
小山 紀久
慶大理工
-
太田 英二
慶大理工
-
白石 賢二
NTT基礎研
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
-
小山 紀久
物材機構
-
太田 英二
慶應義塾大学大学院理工学研究科
-
太田 英二
慶大 理工
関連論文
- 29a-ZF-9 BC5-7員環クラスターの電子構造と分子構造
- 29a-ZF-8 ホウ素-炭酸系層状構造における高スピン状態
- 27a-YK-10 (B_4C_4)n5員環クラスターの電子構造と分子構造II
- 6a-A-11 (B_4C_4)n5員環クラスターの電子構造と分子構造
- 6a-A-10 (B_3C_3)_n6員環クラスターの電子構造と分子構造
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
- 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
- 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
- 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
- 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
- 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
- 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
- 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
- ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
- 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
- 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
- 3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態
- シリコン量子平面の電子構造と物理
- 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
- シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
- 19aTA-6 荷電された量子ドットに入射した電子波束の光支援トンネリング(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pRC-8 荷電された量子リングでの電子波束の共鳴トンネル(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXL-9 量子リング内へ入射された1電子および2電子波束の動的過程(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aYC-8 二次元閉じこめ場内における電子励起および光励起支援にともなう電子の時間発展(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13pYC-9 2 次元放物型量子ドット内電子の振動外場に対する動的応答(量子ドット : 理論, 領域 4)
- 12pPSA-6 量子細線内電子波束の時間発展と電気伝導(領域 4)
- 12pPSA-5 二次元ポテンシャル場に束縛された電子の変調外場に対する動的応答過程(領域 4)
- 27pYF-2 静電量子レンズによる電子波束の時間発展(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
- 29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造
- 18aYJ-11 磁場中の球状量子ドットにおける新たな殻構造
- 27p-Q-1 DNA塩基対の開裂ソリトンII
- 2a-YB-6 DNA塩基対の開裂ソリトン
- 7a-P-1 RNA塩基三量体の電子構造の理論的研究
- 28a-PS-24 Coフェライト微粒子における磁化の量子トンネル現象II
- 6a-PS-116 カドミウムフェライト超微粒子の磁性
- 共沈法Cdフェライトの磁性II
- 29a-PS-1 共沈法Cdフェライトの磁性 I
- 27p-PS-32 銅酸化物超伝導体における酸素配置と電子構造の関係
- 13p-PS-29 NbS_3の構造と相転移
- AuFe超微粒子の磁性III
- 28a-PS-64 磁性微粒子LB膜の磁性III
- 14a-PS-11 磁性微粒子LB膜の磁性II
- 31p-PSB-51 磁性微粒子LB膜の磁性
- 31a-H-8 強磁性微粒子分散高分子の磁気的性質
- 3p-A-20 InGaAs/InP系材料のパルス磁場下における横磁気フォノン共鳴
- 3a-A-13 強磁場におけるエピタキシャルn-InPの磁気抵抗
- 1a-KC-7 パルス強磁場におけるn型InPの横磁気フォノン共鳴
- 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
- 29a-PS-70 NiMn薄膜の成膜条件とそのスピングラス特性
- 2p-PSB-43 イオンビームスパッタリング法により作成されたNiMn薄膜のスピングラス特性 II
- 30p-PSA-14 イオンビームスパッタリング法により作成されたNiMn薄膜のスピングラス特性
- 30p-PSA-12 スピングラスNiMnの非線型磁化率II
- 13p-PSA-28 スピングラスNiMnの非線型磁化率
- PdおよびPdFe超微粒子の表面磁性
- 29a-PS-71 AuFe超微粒子の磁性II
- 28a-PS-65 AuFe超微粒子の磁性
- 15a-PS-48 Pd超微粒子の偏極中性子散乱II
- 2Ea-2 モヤシマメ幼植物の伸長生長に及ぼす外部pHの影響
- 3p-S-1 ガス中蒸発法により作成したPd超微粒子の格子振動
- 29p-PS-20 非晶質Cr_Mn_xGeの交流磁化率
- 半磁性半導体Cd_Mn_xTeの光誘起磁化の組成依存性
- Cd_Mn_xFe_yTeの高温におけるスピングラス様磁性
- 30p-PSA-17 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性III
- 13p-PSA-33 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性II
- Coフェライト微粒子における磁化の量子トンネル現象
- 強磁性微粒子分散高分子の中性子小角散乱II
- 強磁性微粒子LB膜の評価および磁気的性質II
- 29p-PSB-39 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeの磁性に及ぼす光照射の影響III
- 29a-PS-6 強磁性微粒子LB膜の評価および磁気的性質
- 29a-PS-5 強磁性微粒子分散高分子の中性子小角散乱
- 3p-PSA-18 金属スピングラスNiMnの磁気光学効果
- 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
- 27a-PS-21 リエントラント・スピングラスCr_Mn_xGeの交流磁化率
- 29p-PS-2 リエントラントスピングラスCr_Mn_xFe_yGeの磁化過程
- 3a-NL-15 P型シリコン中のイオン化不純物による正孔の散乱と移動度
- 2a-G-1 Si及びGeの価電子帯のエネルギ構造
- 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
- 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
- 14a-E-8 パルス強磁場におけるP型Teの磁気フォノン共鳴
- 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
- 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
- 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
- 3a-NL-14 高純度ゲルマニウム中の正孔の散乱機構と移動度
- 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
- ポリオレフィンの電子局在準位の光学的評価と計算化学的検証
- 26pSA-15 量子場に閉じ込められた少数電子系におけるスピン軌道相互作用(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ポリシランにおける水素原子の挙動
- 28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
- 30a-H-12 ポリスタンナンの電子構造
- 26p-M-4 ポリシラン中の水素原子の断熱ポテンシャル面の計算
- 24pAA-13 外部電場下におけるペプチドナノチューブの動的挙動(24pAA 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 20pPSA-10 量子場に閉じ込められた少数電子系におけるスピン軌動相互作用II(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSA-9 擬二次元量子場に閉じ込められた電子系におけるスピン軌道相互作用(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aXP-9 球状量子ドットにおけるフントの第二法則(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24pSA-13 π spln holeによるπ電子スピン鎖幾何構造と基底スピン状態(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))