28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-03-12
著者
関連論文
- 先端追跡
- 29p-YN-6 シリコンクラスターの誘電率と励起子構造
- 29p-YX-4 タンパク質高分子鎖の電子構造
- 28a-J-3 Siクラスター励起子とそのスピン構造
- 14a-Y-2 DNA鎖の電子構造
- 27p-ZF-6 間接遷移型物質の量子ドットにおける発光過程の理論
- 27p-ZF-2 Si高分子-ポリシラン-の電子構造
- 25a-ZG-14 ランダム共重合高分子の電子構造
- 28a-G-12 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造II(実験)
- 27a-F-6 間接遷移型物質における量子閉じ込め効果と発光過程の理論
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
- 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
- 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
- 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
- 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
- 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
- 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
- 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
- ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
- 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
- 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
- 3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態
- シリコン量子平面の電子構造と物理
- 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
- シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
- 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
- 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
- 27p-PS-32 銅酸化物超伝導体における酸素配置と電子構造の関係
- 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
- 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
- 31a-Z-10 GaAs及びAlGaAsにおけるDXセンターの起源
- 6p-C-3 GaAs中の深いドナー準位-DXセンター-の基底状態と最適原子配置
- 4a-C-16 単原子層挿入系における電荷移動
- 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
- 先端追跡
- 化合物半導体結晶成長過程とエレクトロンカウンティングモデル
- 5a-A-1 GaAs(001)表面におけるSi吸着初期過程の第一原理的考察
- 30p-G-5 シリコンクラスターにおける励起子の第一原理的計算
- シリコンクラスターの誘電率と励起子状態
- 半導体成長素過程の量子論(エピタキシャル成長の量子論)
- 2p-YA-1 半導体表面の構造のダイナミクス:序論
- GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割
- 31a-J-4 GaAs(001)面における原子の吸着とエレクトロンカウンティングモデルの関係
- 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
- 3a-NL-15 P型シリコン中のイオン化不純物による正孔の散乱と移動度
- 2a-G-1 Si及びGeの価電子帯のエネルギ構造
- 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
- 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
- 14a-E-8 パルス強磁場におけるP型Teの磁気フォノン共鳴
- 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
- 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
- 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
- 3a-NL-14 高純度ゲルマニウム中の正孔の散乱機構と移動度
- 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
- 28a-YR-11 第一原理計算によるSi表面、Si/SiO_2界面における酸化領域成長の研究
- ポリオレフィンの電子局在準位の光学的評価と計算化学的検証
- ポリシランにおける水素原子の挙動
- 28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
- 30a-H-12 ポリスタンナンの電子構造
- 26p-M-4 ポリシラン中の水素原子の断熱ポテンシャル面の計算
- 5a-B-5 di-hydride Si(100)表面の初期酸化進行過程の第一原理計算
- 7p-J-4 シリコンナノ構造における酸化膜界面のSi-OH結合と発光
- 超ソフト擬ポテンシャル法を用いた光学遷移行列要素の計算
- 31p-G-1 GaAs中のDXセンターの圧力依存性(31pG 半導体(深い不純物))
- 31p-G-2 DXセンターによる永続光電流の一モデル(31pG 半導体(深い不純物))
- 29a-G-1 GaAs中In単原子層挿入系の電子状態(29aG 半導体(超格子))
- 1p-EA-12 有機ポリシランの電子構造と光物性(1p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)