27p-PS-32 銅酸化物超伝導体における酸素配置と電子構造の関係

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1987-09-16

著者

• 武田 京三郎

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 大野 隆央

  物材機構

• 中ノ 勇人

  NTT通研

• 武田 京三郎

  NTT通研

• 大野 隆央

  NTT通研

• 栗原 進

  NTT通研

• 栗原 進

  Ntt電気通信研究所

関連論文

• 20aPS-43 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算 II
• 31pWD-7 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算
• 30aPS-61 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-68 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXD-8 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
• 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
• 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
• 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
• 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
• 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
• 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
• 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
• 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
• 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
• ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
• 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
• 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
• 3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態
• シリコン量子平面の電子構造と物理
• 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
• シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
• 30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
• 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 21pXA-4 シリコン中 30 度部分転位のダイナミクス
• 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
• 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
• 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
• 27p-ZF-7 シリコン量子細線の可視発光 : バンド構造と1次元励起子
• 27a-ZF-3 GaAs(110)表面Cs吸着相の原子構造と電子構造
• ボンドエンジニアリングによる半導体超格子設計
• 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
• 27p-PS-32 銅酸化物超伝導体における酸素配置と電子構造の関係
• 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31aZE-9 NO/Pt(111) の振動スペクトルの理論的解析
• 22pPSB-19 金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-57 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-45 ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-34 cBN薄膜成長過程の第一原理計算による研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
• 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
• 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30aPS-51 Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-71 第一原理計算による有機分子の電気伝導特性(領域 9)
• 25pWB-1 半導体ナノチューブ構造における励起子の光過程(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 27pRE-2 半導体ナノチューブ構造の励起子過程における誘電率効果(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
• 21aXF-14 半導体ナノチューブ構造における励起子過程(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
• 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aPS-61 第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性 : 非弾性過程(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXF-13 フラーレンを内包したカーボンナノチューブの伝導特性
• 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTQ-7 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性的相互作用による協力現象の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
• 24pXK-10 電極に挟まれた単分子の伝導特性 : 電子・フォノン相互作用の効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pPSA-56 金電極に挟まれた分子の伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-57 金属電極に挟まれたベンゼンジチオールの伝導特性に関する理論的研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 15aPS-15 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算 (II)(領域 9)
• 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
• 20aZB-3 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー化合物の二次元弾性体モデルによる体積および圧力変化の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
• 23aRA-4 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー系の弾性体モデルの解析(23aRA 光誘起相転移,領域5(光物性))
• 27aRE-8 弾性体モデルによるスピンクロスオーバー現象の解析と光励起状態からの緩和過程の考察(27aRE 光誘起相転移,領域5(光物性))
• 19aXB-5 光照射により誘起される磁気秩序及びスピンクロスオーバー現象の非平衡ダイナミクス(光誘起相転移・磁性・新物質・顕微,領域5(光物性))
• 3a-NL-15 P型シリコン中のイオン化不純物による正孔の散乱と移動度
• 2a-G-1 Si及びGeの価電子帯のエネルギ構造
• 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
• 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
• 14a-E-8 パルス強磁場におけるP型Teの磁気フォノン共鳴
• 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
• 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
• 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
• 3a-NL-14 高純度ゲルマニウム中の正孔の散乱機構と移動度
• 23pPSA-32 第一原理計算による磁性電極に挟まれた分子の伝導特性(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ内の水分子構造と水分子モデルの関係(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
• 19pPSB-5 水素終端Si(001)表面におけるGe原子吸着に対する表面近傍Ge原子の影響
• ポリオレフィンの電子局在準位の光学的評価と計算化学的検証
• 25aCC-4 時間依存密度汎関数計算によるクマリン色素/TiO_2界面の可視光吸収スペクトル(25aCC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ポリシランにおける水素原子の挙動
• 28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
• 30a-H-12 ポリスタンナンの電子構造
• 26p-M-4 ポリシラン中の水素原子の断熱ポテンシャル面の計算
• 26pCK-10 磁性電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性(26pCK ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCF-10 カーボンナノチューブ内のメタノール分子構造(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aAG-2 SiC中の螺旋転位構造と電子状態(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20aFF-4 並列化大規模電子状態計算によるナノ構造シミュレーション(20aFF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 28aPS-6 磁気熱量効果の磁気構造依存性(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26pJB-8 Si(110)-(16×2)表面五員環構造の起源(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 6aSM-8 遷移金属表面上COおよびNOの振動スペクトルに関する理論的研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 8aSM-11 窒化Si(001)表面の構造の理論的研究(表面界面構造・電子物性,領域9)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク