20aPS-43 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-08-15
著者
-
檜貝 信一
村田製作所
-
大野 隆央
物材機構計算科学セ
-
檜貝 信一
物材機構(NIMS)計算材料セ
-
奈良 純
物材機構(NIMS)計算材料セ
-
大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
-
森川 良忠
産総研
-
大野 隆央
物材機構
-
奈良 純
物質材料研究機構:東大生産研
-
奈良 純
物材機構
関連論文
- 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pYF-6 BaTiO_3セラミックスナノクラスターの第一原理的研究(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aZB-4 リチウムの単層グラファイト表面における吸着安定性 : 理論的研究(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aRC-4 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算3(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pVC-14 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算2(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 21pWA-11 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 12aXF-3 Au(111) 表面上のチオレート分子吸着のテール分子依存性 : 理論的研究(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 23aYC-5 Au(111) 表面におけるチオフェンチオレート分子の吸着状態 : 理論的研究
- 20aPS-43 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算 II
- 31pWD-7 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算
- 結晶転位の第一原理電子論
- 28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果
- 26a-YR-12 H終端Si(001)2×1表面へのTi原子吸着の第一原理的研究
- 6p-E-6 アクセプター型GIC(AsF-GIC、Br-GIC)の電子構造
- 31p-R-6 Br-GICの電子状態 : アクセプター型GICとなる電荷移動のメカニズム
- 31a-YM-8 カリウム-酸素-グラファイト三元系層間化合物の電子構造
- 31a-YM-1 1次元炭素結晶カーボライトの構造と電子状態
- 30aPS-61 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-68 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXD-8 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
- シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
- 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
- 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
- 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
- 29aZE-6 第一原理計算による TiO_2(110) 上のギ酸の分解反応過程の研究
- 30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 21pXA-4 シリコン中 30 度部分転位のダイナミクス
- 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
- 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
- 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
- 27p-ZF-7 シリコン量子細線の可視発光 : バンド構造と1次元励起子
- 27a-ZF-3 GaAs(110)表面Cs吸着相の原子構造と電子構造
- ボンドエンジニアリングによる半導体超格子設計
- 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
- 27p-PS-32 銅酸化物超伝導体における酸素配置と電子構造の関係
- 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31aZE-9 NO/Pt(111) の振動スペクトルの理論的解析
- Pt(111)表面に吸着したNO分子の振動スペクトル : 第一原理計算による解析
- 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-19 金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-57 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-45 ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-34 cBN薄膜成長過程の第一原理計算による研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
- 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27aXJ-9 Si(111)-(7x7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-51 Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-71 第一原理計算による有機分子の電気伝導特性(領域 9)
- 12aXG-3 Al 原子細線における電極構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- 25pWB-1 半導体ナノチューブ構造における励起子の光過程(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 27pRE-2 半導体ナノチューブ構造の励起子過程における誘電率効果(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 21aXF-14 半導体ナノチューブ構造における励起子過程(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
- 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aPS-61 第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性 : 非弾性過程(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXF-13 フラーレンを内包したカーボンナノチューブの伝導特性
- 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTQ-7 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性的相互作用による協力現象の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
- 24pXK-10 電極に挟まれた単分子の伝導特性 : 電子・フォノン相互作用の効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pPSA-64 Al原子細線の電気伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-56 金電極に挟まれた分子の伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-57 金属電極に挟まれたベンゼンジチオールの伝導特性に関する理論的研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 15aPS-15 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算 (II)(領域 9)
- 20aPS-54 第一原理に基づく金原子細線の電気伝導特性計算
- 20aZB-3 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー化合物の二次元弾性体モデルによる体積および圧力変化の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
- 23aRA-4 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー系の弾性体モデルの解析(23aRA 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 27aRE-8 弾性体モデルによるスピンクロスオーバー現象の解析と光励起状態からの緩和過程の考察(27aRE 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 19aXB-5 光照射により誘起される磁気秩序及びスピンクロスオーバー現象の非平衡ダイナミクス(光誘起相転移・磁性・新物質・顕微,領域5(光物性))
- 26pGAA-5 誘電体材料の新たな応用展開を目指した理論的研究(26pGAA 領域10シンポジウム:誘電体応用研究最前線-Theory meets industry-,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 村田製作所における計算科学技術の材料研究開発への展開
- 23pRC-5 誘電体材料の新たな応用展開を目指した理論的研究(23pRC 領域10シンポジウム-Theory meets industry-:誘電体応用研究最前線,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pPSA-32 第一原理計算による磁性電極に挟まれた分子の伝導特性(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aTG-7 カーボンナノチューブ内の水分子構造と水分子モデルの関係(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pPSB-5 水素終端Si(001)表面におけるGe原子吸着に対する表面近傍Ge原子の影響
- 25aCC-4 時間依存密度汎関数計算によるクマリン色素/TiO_2界面の可視光吸収スペクトル(25aCC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pCK-10 磁性電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性(26pCK ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCF-10 カーボンナノチューブ内のメタノール分子構造(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aAG-2 SiC中の螺旋転位構造と電子状態(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20aFF-4 並列化大規模電子状態計算によるナノ構造シミュレーション(20aFF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 28aPS-6 磁気熱量効果の磁気構造依存性(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26pKE-8 Snを両サイトにドープしたSrTiO_3の強誘電性(誘電体(ペロブスカイト,量子常誘電性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pJB-8 Si(110)-(16×2)表面五員環構造の起源(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 6aSM-8 遷移金属表面上COおよびNOの振動スペクトルに関する理論的研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 8aSM-11 窒化Si(001)表面の構造の理論的研究(表面界面構造・電子物性,領域9)