半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Combining the two approaches of the phenomenological theory and the atomistic analysis, we clarified the characteristics of the hetero-epitaxial growth, focusing on the misfit dislocation generated at the semiconductor interfaces. We apply these theories to GaSb/GaAs(001) system. In the atomistic analysis we found a 5&7 membered ring structure at the dislocation core by using first-principles calculations.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
-
大野 隆央
金材技研
-
武田 京三郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
岡島 康
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
-
宮城島 規
早稲田大学
-
小山 紀久
金材技研
-
大野 隆央
物材機構
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
-
小山 紀久
物材機構
-
武田 京三郎
早稲田大学 理工学術院
関連論文
- 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果
- 26a-YR-12 H終端Si(001)2×1表面へのTi原子吸着の第一原理的研究
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
- 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
- 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
- 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
- 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
- 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
- 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
- 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
- ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
- 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
- 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
- 3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態
- シリコン量子平面の電子構造と物理
- 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
- シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
- 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
- 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
- 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
- 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
- 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
- ボンドエンジニアリングによる半導体超格子設計
- 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
- 27p-PS-32 銅酸化物超伝導体における酸素配置と電子構造の関係
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
- 22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
- 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
- 26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
- 31a-Z-10 GaAs及びAlGaAsにおけるDXセンターの起源
- 6p-C-3 GaAs中の深いドナー準位-DXセンター-の基底状態と最適原子配置
- 4a-C-16 単原子層挿入系における電荷移動
- 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
- 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
- 22aT-7 F終端Si(001)表面上へのF原子吸着
- 1p-YE-8 Si(001)-2×1表面上のF原子の吸着とSiF_3吸着子の形成
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
- 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
- 先端追跡
- 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
- 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
- 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
- 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
- 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
- 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
- 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
- Al(001)表面への酸素の吸着過程
- Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
- 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
- 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
- 23pZN-9 まとめ : 原子レベルの酸化機構とマクロスコピックな酸化現象との関係
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
- 電子の立場から眺めた半導体薄膜成長過程--半導体表面での電子のキャッチボ-ル
- GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割
- 31a-J-4 GaAs(001)面における原子の吸着とエレクトロンカウンティングモデルの関係
- 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
- 28a-XB-2 第一原理計算によるM(dmit)_2塩(M=Ni, Pd)におけるダイマー構造の圧力変化
- 3a-NL-15 P型シリコン中のイオン化不純物による正孔の散乱と移動度
- 2a-G-1 Si及びGeの価電子帯のエネルギ構造
- 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
- 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
- 14a-E-8 パルス強磁場におけるP型Teの磁気フォノン共鳴
- 31p-YP-12 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態II
- 6p-C-13 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態
- 31a-C-11 (CH_3)_4N[M(dmit)_2]_2 (M=Ni, Pd)に対する第一原理電子状態計算
- 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
- 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
- 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
- 3a-NL-14 高純度ゲルマニウム中の正孔の散乱機構と移動度
- 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
- GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
- 27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
- 23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
- 28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散
- ポリオレフィンの電子局在準位の光学的評価と計算化学的検証
- ポリシランにおける水素原子の挙動
- 28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
- 30a-H-12 ポリスタンナンの電子構造
- 26p-M-4 ポリシラン中の水素原子の断熱ポテンシャル面の計算