22aT-7 F終端Si(001)表面上へのF原子吸着
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
関連論文
- 28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果
- 26a-YR-12 H終端Si(001)2×1表面へのTi原子吸着の第一原理的研究
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
- 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
- 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
- 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
- 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
- 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
- 22aT-7 F終端Si(001)表面上へのF原子吸着
- 28p-Q-4 F終端Si(001)表面の構造安定性
- 1p-YE-8 Si(001)-2×1表面上のF原子の吸着とSiF_3吸着子の形成
- 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
- 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
- 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
- 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
- 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
- 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
- 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
- 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
- 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
- Al(001)表面への酸素の吸着過程
- Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
- 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
- 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
- 28a-XB-2 第一原理計算によるM(dmit)_2塩(M=Ni, Pd)におけるダイマー構造の圧力変化
- 31p-YP-12 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態II
- 6p-C-13 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態
- 31a-C-11 (CH_3)_4N[M(dmit)_2]_2 (M=Ni, Pd)に対する第一原理電子状態計算
- GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
- 27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
- 23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
- 28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散