28a-XB-2 第一原理計算によるM(dmit)_2塩(M=Ni, Pd)におけるダイマー構造の圧力変化

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-03-15

著者

• 大野 隆央

  金材技研

• 宮崎 剛

  金材技研

• 宮崎 剛

  物材機構

• 宮崎 剛

  東理大理工:物材機構

関連論文

• 28aRC-4 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算3(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-14 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算2(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pWA-11 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 28pTA-7 Si表面における遷移金属原子の初期反応過程への表面水素化による効果
• 26a-YR-12 H終端Si(001)2×1表面へのTi原子吸着の第一原理的研究
• 第一原理計算による(DI-DCNQI)_2Cuの高圧下における構造と電子状態
• 27p-Y-8 DCNQI系の第一原理電子状態計算
• DCNQI-(Cu,Ag,Li)系金属相に対する第1原理電子状態計算
• 27a-ZM-2 局所スピン密度汎関数近似における自己相互作用補正
• 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
• DNA系に対する大規模第一原理計算 (生物物質科学--金属を含む分子系を中心に 特集号) -- (生体分子系の電子状態解析)
• 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
• 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
• 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
• 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
• 23aTG-4 gramicidin-Aの構造と電子状態に対する第一原理計算(23aTG 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 27pPSA-34 cBN薄膜成長過程の第一原理計算による研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 21pTG-4 オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aRB-8 α-(BEDT-TTF)_2I_3の常圧、一軸圧縮下での第一原理電子状態(28aRB ET系(α系等),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aRB-3 β'-(BEDT-TTF)_2ICl_2のAF相に対する第一原理電子状態計算(27aRB ET系(β系,κ系,高圧物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• MgO表面上のAun微粒子に対する第一原理計算 (特集:金ナノ構造)
• 13pWE-1 β'-(BEDT-TTF)_2AuCl_2 の圧力下の構造と電子状態(ET 塩 : β・β´・β"・θ他, 領域 7)
• 27pPSA-26 Si(111)表面上Bi超薄膜の魔法厚と電子状態(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 29pPSA-21 第一原理オーダーN法CONQUESTの階層構造 : ハイブリッド計算に向けて(領域11ポスターセッション)
• 22aYD-11 Si(111) 表面上 Bi 超薄膜の魔法厚
• 21pXE-2 β'-(BEDT-TTF)_2ICl_2 の圧力下の構造と電子状態
• 31pZE-2 Si(111) 表面上 Bi 薄膜の原子構造と電子構造
• 31aPS-16 オーダー N 法 DFT プログラム CONQUEST の最近の進展 : 局在基底の導入
• 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
• 22aT-7 F終端Si(001)表面上へのF原子吸着
• 1p-YE-8 Si(001)-2×1表面上のF原子の吸着とSiF_3吸着子の形成
• 17aRC-2 オーダーN法DFTプログラムCONQUESTベクトル並列版の進展
• 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
• 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
• 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
• 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
• 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
• 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
• 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
• 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
• 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
• Al(001)表面への酸素の吸着過程
• Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
• 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
• 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
• 25p-YH-13 第一原理計算によるNaV_2O_5の電子状態の研究
• 28a-XB-2 第一原理計算によるM(dmit)_2塩(M=Ni, Pd)におけるダイマー構造の圧力変化
• 28aGV-3 イオンチャネルgramicidin Aに対するオーダーN法大規模第一原理計算(28aGV 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 1p-PSA-54 強く二重体化した2バンド系の軌道・磁気秩序
• 1p-YP-5 DCNQI錯体の物性予測
• 31p-YP-12 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態II
• 6p-C-13 第一原理計算によるβ-(CH_3)_4N[Pd(dmit)_2]_2の圧力下の構造と電子状態
• 31a-C-11 (CH_3)_4N[M(dmit)_2]_2 (M=Ni, Pd)に対する第一原理電子状態計算
• 23aGN-11 イオンチャネルgramicidin Aに対するオーダーN法大規模第一原理計算II(23aGN 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• GaAs/ErAs界面の原子配置と電子構造
• 27a-N-12 GaAs中のErと複合欠陥
• 23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
• 28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散
• 24pBK-15 (Cation)[Pd(dmit)_2]_2の有効モデルと電荷秩序安定性(24pBK スピン液体・モット転移・金属錯体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pBK-14 第一原理計算による(Cation)[Pd(dmit)_2]_2の構造と電子状態(24pBK スピン液体・モット転移・金属錯体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aEB-7 第一原理計算による単一成分分子性結晶の圧力下における金属化の解明(20aEB π-d系(dmitなど),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pEB-10 圧力下のalpha-(BEDT-TTF)_2I_3, alpha-(BETS)_2I_3の第一原理計算によるDirac coneの変化(19pEB Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aEB-6 第一原理計算による(Cation)[M(dmit)_2]_2 M=Pd, Ptの構造と電子状態(20aEB π-d系(dmitなど),領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aEB-5 (Cation)[Pd(dmit)_2]_2のフラグメント模型と電荷・スピン状態(20aEB π-d系(dmitなど),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pPSB-1 オーダーN法DFT計算プログラムCONQUESTの開発 : DFT-D2法の導入と応用計算(25pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28pXN-2 第一原理計算による単一成分分子性結晶の圧力下における金属化の解明II(28pXN π-d系(単一成分系,dmit系),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pPSA-19 オーダーN法第一原理分子動力学計算の実装(27pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25aDJ-6 β'-X[Pd(dmit)_2]_2の分子内自由度とスピンおよび電荷秩序(Pd(dmit)_2系,領域7(分子性個体・有機導体))
• 28aDJ-6 第一原理計算によるκ-H_3(Cat-EDT-TTF)_2の電子状態(κ型ET塩等,領域7(分子性個体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク