白石 賢二 | 筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
-
武田 京三郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
白石 賢二
NTT基礎研
-
白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
-
伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
-
武田 京三郎
早大理工
-
大野 隆央
物材機構
-
小山 紀久
物材機構
-
太田 英二
慶應義塾大学大学院理工学研究科
-
太田 英二
慶大 理工
-
小山 紀久
慶大理工
-
太田 英二
慶大理工
-
小川 哲生
大阪市立大学工学部応用物理学科
-
伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
-
伊藤 智徳
三重大学工学研究科
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
武田 京三郎
Ntt基礎研
-
岡島 康
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
小川 哲生
Ntt基礎研
-
伊藤 智徳
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
寒川 義裕
九大・応力研
-
山口 浩司
三菱重工業(株)
-
田口 明仁
NTT物性基礎研
-
深作 克彦
早大理工
-
白石 賢二
筑波大学物理学系
-
大野 隆央
Ntt Lsi研究所
-
白石 賢二
基礎研究所
-
武田 京三郎
早稲田大学 理工学術院
-
太田 英二
慶應義塾大学
-
山口 浩司
Ntt物性基礎研
-
秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
-
住友 弘二
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
-
大野 隆央
金材技研
-
大野 隆央
金属材料技術研究所究所
-
伊藤 智徳
NTTフォトニクス研
-
白石 賢二
基礎研
-
白石 賢二
NTT 基礎研究所
-
柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
-
荻野 俊郎
横国大
-
小林 慶裕
阪大
-
荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
-
大野 隆央
金属材料技術研究所
-
荻野 俊郎
NTT物性基礎研
-
金光 義彦
筑波大物理
-
小林 慶裕
NTT物性基礎研
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
押山 淳
東大院工
-
関 一彦
名大院理
-
伊藤 智徳
三重大工
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
-
梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
影島 博之
Ntt Lsi研
-
常行 真司
東京大学大学院理学系研究科
-
常行 真司
東大理
-
大野 隆央
物材機構計算科学セ
-
境 悠治
日本電子(株)
-
押山 淳
東大物工
-
大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
-
重川 秀実
筑波大物質工
-
入澤 寿美
学習院大学
-
大鉢 忠
同志社大学工学部
-
小山 紀久
慶應義塾大学大学院理工学研究科
-
白石 賢二
NTT 物性科学基礎研究所
-
山口 浩司
NTT 物性科学基礎研究所
-
大野 隆央
物質 ・ 材料研究機構
-
小山 紀久
金属材料技術研究所究所
-
宮城島 規
早稲田大学
-
小山 紀久
金材技研
-
岡島 康
早大理工
-
小山 紀久
慶大院理工
-
太田 英二
慶大院理工
-
田代 雅典
早大理工
-
本山 英志
早大理工
-
遠藤 利洋
早大理工
-
高野 敏明
慶大理工
-
武田 京三郎
基礎研
-
武田 京三郎
NTT 基礎研究所
-
金光 義彦
筑波大学物理学系
-
伊藤 智徳
三重大学大学院工学研究科物理工学専攻
-
松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
-
秋山 亨
三重大学工学部
-
関 一彦
名大物質研・院理
-
梅澤 直人
南カリフォルニア大
-
白石 賢二
筑波大物理
-
大鉢 忠
同志壮大学工学部
-
梅澤 直人
物材機構
-
大鉢 忠
同志社大・理
-
寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
伊藤 智徳
三重大学大学院工学研究科
-
伊藤 智徳
NTT LSI研究所
-
押山 淳
筑波大物理
-
大野 隆央
NTTLSI研究所
-
伊藤 智徳
NTTLSI研究所
-
小川 哲生
NTT 基礎研究所
-
金光 義彦
筑波大 物理
-
舛本 泰章
筑波大 物理
-
寒川 義裕
学習院大学計算機センター
-
平岡 佳子
(株)東芝研究開発センター
-
重川 秀実
筑波大
-
入澤 寿美
学習院大計セ
-
境 悠治
日本電子
-
平岡 佳子
東芝 研開セ
-
伊藤 智徳
LSI研
-
秋山 亨
三重大学工学研究科
-
伊藤 智徳
三重大学大学院 工学研究科
著作論文
- 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
- 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
- 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
- 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
- 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
- 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
- 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
- ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
- 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
- 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
- 3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態
- シリコン量子平面の電子構造と物理
- 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
- シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
- 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
- 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
- 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
- 27p-ZF-7 シリコン量子細線の可視発光 : バンド構造と1次元励起子
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
- 22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
- 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
- 26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
- 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
- 先端追跡
- 23pZN-9 まとめ : 原子レベルの酸化機構とマクロスコピックな酸化現象との関係
- シリコン表面プロセスにおける水素の役割と挙動
- 電子の立場から眺めた半導体薄膜成長過程--半導体表面での電子のキャッチボ-ル
- GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割
- 31a-J-4 GaAs(001)面における原子の吸着とエレクトロンカウンティングモデルの関係
- 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
- 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
- 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
- 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造