住友 弘二 | Ntt物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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住友 弘二
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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住友 弘二
NTT基礎研
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張 朝暉
北京大学
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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篠崎 陽一
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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鳥光 慶一
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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小林 慶裕
阪大
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荻野 俊郎
NTT基礎研究所
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鳥光 慶一
Ntt物性科学基礎研究所
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尾身 博雄
Ntt物性基礎研
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篠崎 陽一
Ntt物性科学基礎研究所
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篠崎 陽一
山梨大学医学部薬理学講座
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西岡 孝
Ntt基礎研
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中村 淳
電通大電子
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河西 奈保子
NTT物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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河西 奈保子
NTT Basic Research Laboratories
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張 朝暉
NTT物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東京理科大学
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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名取 晃子
電通大電子
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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小林 慶裕
NTT物性基礎研
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住友 弘二
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
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荻野 俊郎
日本電信電話(株)
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篠田 幸信
NTT基礎研
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荻野 俊郎
横浜国立大学
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清水 延男
NTT基礎研
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中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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荻野 俊郎
横浜国立大学工学府物理情報工学専攻
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渡辺 義夫
NTT基礎研
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渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
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渡辺 義夫
Ntt物性科学基礎研究所
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伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
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津田 誠
九州大学 大学院薬学研究院 薬効解析学分野
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井上 和秀
九州大学 大学院 薬学研究院 医療薬科学専攻 薬理学分野
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小泉 修一
山梨大学 大学院 医工学総合研究部 薬理学教室
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小泉 修一
山梨大学医学部薬理学
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小泉 修一
山梨大学 医学部 薬理学教室
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小林 慶裕
NTT基礎研
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古川 一暁
NTT物性科学基礎研究所
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中島 寛
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部
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津田 誠
九州大学 大学院 薬学研究院 医療薬科学専攻 薬理学分野
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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伊藤 智徳
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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廣田 幸弘
NTT基礎研究所
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小林 慶裕
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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中島 寛
Ntt物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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日比野 浩樹
日本電信電話(株)
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名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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福田 常男
NTT基礎研究所
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ZHANG Zhaohui
北京大学
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BOTTOMLEY David
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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ZHANG Zhaohui
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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Prabhakaran Kuniyil
NTT基礎研究所
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名取 晃子
電気通信大学
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古川 一暁
Ntt物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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中島 寛
Ntt物性科学基礎研究所
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田中 あや
Ntt物性科学基礎研究所
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中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
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荻野 俊郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
著作論文
- 高速原子間力顕微鏡を用いた受容体の一分子イメージング
- 単一分子レベルでのたんぱく質の機能評価
- 生体膜及び生体膜貫通タンパク質のAFMを用いた直接観察
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- 脱溶存酸素・超純水によるGaAs(001)表面の洗浄および洗浄表面に対する熱処理の効果
- 中速イオン散乱法(MEIS)と走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面ナノ構造の解析
- Si表面におけるナノ構造の自己形成制御
- Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
- 31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
- 19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
- 中速イオン散乱法によるi(001)基板上Sbダイマーの構造解析
- 3a-J-5 中速イオン散乱法による Si (001) 基板上のGeダイマーの構造解析
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
- 材料・プロセスイノベーションによる新構造形成への挑戦 : Si/Ge多層膜への酸素イオン注入によるSi/SiO_2/Ge多層構造の形成
- 27p-ZS-4 Si(111)√×√-Pb表面へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 27a-ZS-4 中速イオン散乱(MEIS)によるGe/Si(111)界面構造解析
- 原子間力顕微鏡を用いた生体分子のトポロジー観察