伊藤 智徳 | Nttシステムエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 伊藤 智徳

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部理工学科

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  NTT基礎研

• 住友 弘二

  NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ

• 白石 賢二

  基礎研

• 荻野 俊郎

  横国大

• 小林 慶裕

  阪大

• 荻野 俊郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 住友 弘二

  Ntt物性科学基礎研究所

• 荻野 俊郎

  NTT物性基礎研

• 白石 賢二

  基礎研究所

• 小林 慶裕

  NTT物性基礎研

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著作論文

• Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
• 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
• 26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
• GaAs(001)表面薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
• GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割

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