伊藤 智徳 | 三重大学工学部理工学科
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概要
関連著者
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伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
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伊藤 智徳
三重大学工学研究科
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大野 隆央
物材機構
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
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寒川 義裕
九大・応力研
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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武田 京三郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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岡島 康
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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白石 賢二
NTT基礎研
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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纐纈 明伯
東京農工大
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伊藤 智徳
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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小山 紀久
物材機構
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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太田 英二
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
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太田 英二
慶大 理工
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
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武田 京三郎
早稲田大学 理工学術院
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太田 英二
慶應義塾大学
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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大野 隆央
金材技研
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田口 明仁
NTT物性基礎研
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白石 賢二
基礎研究所
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伊藤 智徳
NTTLSI研究所
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寒川 義裕
学習院大学計算機センター
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
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住友 弘二
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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入澤 寿美
学習院大学
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武田 京三郎
早大理工
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大鉢 忠
同志社大学工学部
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小山 紀久
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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白石 賢二
NTT 物性科学基礎研究所
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山口 浩司
NTT 物性科学基礎研究所
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大野 隆央
物質 ・ 材料研究機構
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小山 紀久
金属材料技術研究所究所
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大野 隆央
金属材料技術研究所究所
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宮城島 規
早稲田大学
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小山 紀久
金材技研
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小山 紀久
慶大理工
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岡島 康
早大理工
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太田 英二
慶大理工
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伊藤 智徳
NTTフォトニクス研
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白石 賢二
基礎研
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松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
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秋山 亨
三重大学工学部
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森 篤史
徳島大学工学部
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荻野 俊郎
横国大
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小林 慶裕
阪大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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大野 隆央
Ntt基礎研究所
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大野 隆央
Ntt Lsi研究所
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大鉢 忠
同志壮大学工学部
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大鉢 忠
同志社大・理
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寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
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纐纐 明伯
東京農工大学工学部応用分子化学科
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伊藤 智徳
NTT LSI研究所
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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大野 隆央
NTTLSI研究所
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田口 明仁
NTT基礎研究所
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小林 慶裕
NTT物性基礎研
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平岡 佳子
(株)東芝研究開発センター
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入澤 寿美
学習院大計セ
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平岡 佳子
東芝 研開セ
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纐纈 明伯
東京農工大学工学部応用分子化学科
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伊藤 智徳
LSI研
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秋山 亨
三重大学工学研究科
著作論文
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
- 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
- ボンドエンジニアリングによる半導体超格子設計
- 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
- 26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
- 電子の立場から眺めた半導体薄膜成長過程--半導体表面での電子のキャッチボ-ル
- GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割
- 31a-J-4 GaAs(001)面における原子の吸着とエレクトロンカウンティングモデルの関係