荻野 俊郎 | 横浜国立大学大学院工学研究院
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概要
関連著者
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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荻野 俊郎
横国大
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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本間 芳和
東理大
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荻野 俊郎
NTT基礎研究所
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
Ntt物性科学基礎研究所
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東京理科大学
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小林 慶裕
阪大
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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住友 弘二
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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尾身 博雄
Ntt物性基礎研
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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張 朝暉
北京大学
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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荻野 俊郎
横浜国立大学
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荻野 俊郎
横浜国立大学工学府物理情報工学専攻
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住友 弘二
NTT基礎研
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渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
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中村 淳
電通大電子
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張 朝暉
NTT物性科学基礎研究所
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渡辺 義夫
SPring-8, JASRI
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西岡 孝
Ntt基礎研
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渡辺 義夫
Ntt物性科学基礎研究所
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名取 晃子
電通大電子
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相澤 則行
東学大
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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鈴木 哲
農工大院工
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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小林 慶裕
NTT基礎研
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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Heun S.
Sincrotrone Trieste
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本間 芳和
NTT境界領域研究所
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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鈴木 哲
NTT物性基礎研
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小林 慶裕
NTT物性基礎研
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住友 弘二
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
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渡辺 義夫
Ntt物性研
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荻野 俊郎
日本電信電話(株)
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福田 常男
NTT基礎研究所
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BOTTOMLEY David
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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相澤 則行
東京学芸大学物理学
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渡辺 義夫
NTT物性基礎研
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中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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村上 浩一
筑波大学, 筑波大特プロ"ナノサイエンス"
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目良 裕
東大工
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前田 康二
東大工
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大野 雄高
名大工
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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奥野 恒久
和歌山大シス工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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伊東 千尋
和歌山大シス工
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目良 裕
東大院工
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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渡辺 義夫
NTT基礎研
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前田 文彦
NTT基礎研
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須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
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川村 隆明
山梨大教育
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Zhou O.
ノースカロライナ大
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伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
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山田 明
東工大
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荒川 泰彦
東京大学
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上田 修
金沢工大
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石橋 幸治
理研
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中嶋 健
東京工業大学
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高木 大輔
東京理科大学理学研究科
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前田 文彦
Ntt物性基礎研
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森田 清三
阪大院
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重川 秀実
筑波大物質工
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粟野 祐二
慶大
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荒川 太郎
横浜国大
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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本間 芳和
東理大理
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高橋 琢二
東大
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佐野 芳明
沖電気
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中嶋 健
東工大
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松本 和彦
阪大
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落合 幸徳
JST
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篠塚 雄三
和歌山大
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徳光 永輔
東工大
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荒川 太郎
横国大
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佐藤 信太郎
富士通研
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赤澤 方省
NTT
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渡辺 精一
北大
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尾崎 信彦
和歌山大
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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森田 清三
阪大理
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須原 理彦
首都大
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
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塚本 貴広
横浜国立大学大学院工学研究院
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荻野 俊郎
NTT
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渡辺 精一
北大・工学部
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Nath K.
原研東海
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伊藤 智徳
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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清倉 孝規
NTT物性基礎研
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廣田 幸弘
NTT基礎研究所
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小林 慶裕
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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高木 大輔
明治大院理工
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Gregoratti L.
Sincrotrone Trieste
-
Barinov A.
Sincrotrone Trieste
-
Kiskinova M.
Sincrotrone Trieste
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篠塚 雄三
和歌山大学大学院システム工学研究科
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相沢 則行
東学大
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Nath K.G.
NTT物性基礎研
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Heun S.
シンクロトロネ トリエステ
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Zhu W.
ベル研
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Bower C.
ノースカロライナ大
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大野 雄高
名大
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HU Changwu
Deperment of Physics and Astronomy, Arizona State University
-
TSONG Ignatius
Deperment of Physics and Astronomy, Arizona State University
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松井 真二
兵庫県立大
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松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
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国井 泰夫
NTT物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
日本電信電話(株)
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本間 芳和
NTT 基礎総研
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日比野 浩樹
NTT 基礎研
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荻野 俊郎
NTT 基礎研
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奥野 恒久
和歌山大
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重川 秀実
筑波大
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名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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村上 浩一
筑波大
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森田 清三
阪大
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大矢 剛嗣
横浜国立大学大学院
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ZHANG Zhaohui
北京大学
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Bottomley David
NTT物性科学基礎研究所
-
尾身 博雄
NTT基礎研究所
-
ZHANG Zhaohui
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
Prabhakaran Kuniyil
NTT基礎研究所
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伊東 千尋
和歌山大
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山田 明
東工大量子セ
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名取 晃子
電気通信大学
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前田 康二
東大、工
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松井 真二
Nec 基礎研
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Hu Changwu
Deperment Of Physics And Astronomy Arizona State University
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Tsong Ignatius
Deperment Of Physics And Astronomy Arizona State University
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前田 康二
東大 工
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中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
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荻野 俊郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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塚本 貴広
横浜国立大学 大学院工学府
-
塚本 貴広
横浜国立大学
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藤田 正弘
横浜国立大学大学院工学研究院
-
渡部 慶介
横浜国立大学大学院工学研究院
-
大矢 剛嗣
横浜国立大学大学院工学研究院
著作論文
- 構造制御した固体基板上グラフェンの評価と加工(グラフェンの成長と応用)
- ナノ構造技術
- 自己形成ナノ構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 27aWB-8 配向したナノチューブの光電子分光
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- Si双晶超格子の作製--新しい結晶構造を持つ単結晶Siの成長
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 量子ナノ構造の自己形成制御 (特集:表面・界面科学研究)
- SC-8-5 自己組織化によるSiナノ構造の集積化
- 31a-T-6 Ge(100)表面での酸素吸着と表面ダイマーバックリングの安定化
- Ge/Si(100)表面での酸素吸着のカイネティックス
- 望まれる個性化と学会の個性 : 新しい学問体系の場を育てよ (物性デバイス研究者からみた電子情報通信学会-2)
- LSI技術におけるカーボンナノチューブ配線 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 中速イオン散乱法(MEIS)と走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面ナノ構造の解析
- Si表面におけるナノ構造の自己形成制御
- Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
- 31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
- 高指数Si基板上のGe島の自己組織化
- 19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
- 24pPSA-4 歪み分布を制御したSi表面の解析 : 理論と実験
- Si/Ge/Si(113)積層構造におけるGeナノ細線の自己組織化
- 中速イオン散乱法によるi(001)基板上Sbダイマーの構造解析
- 3a-J-5 中速イオン散乱法による Si (001) 基板上のGeダイマーの構造解析
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
- 材料・応用編 カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線 (特集 カーボンナノチューブが拓く新世界--挑戦と創造)
- 半導体表面の原子構造デザイン
- 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
- 5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
- 材料・プロセスイノベーションによる新構造形成への挑戦 : Si/Ge多層膜への酸素イオン注入によるSi/SiO_2/Ge多層構造の形成
- 結晶シリコン表面水素の偏光赤外分光
- 3a-J-6 真空中加熱によるSi(111)基板の凹部内部における(111)平坦面の成長
- 表面構造制御の研究
- カーボンナノチューブ複合紙の現状と可能性