相澤 則行 | 東学大
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概要
関連著者
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相澤 則行
東学大
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相澤 則行
東京学芸大学物理学
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早川 和延
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東学大
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本間 芳和
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森 浩一
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Jasri
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浦項加速器研
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浦項加速器研
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李 起奉
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浦項加速器研:浦項工科大
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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鈴木 基寛
JASRI
著作論文
- 22aTC-4 X線回折法による低温域に於けるニッケルの磁歪係数の観察(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
- 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
- 24pW-6 Si(111)表面における電界誘起ステップバンチングのサイズスケーリング
- 23aYK-1 X線回折法で観察した鉄の磁化困難軸方向に於ける磁歪曲線(23aYK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aXD-1 X線回折法によるニッケル単結晶の磁歪観察(27aXD X線,粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29a-L-5 表面析出物による屈折率の変化 (RHEED)
- 30p-M-8 結晶表面が低次指数格子面に平行でない試料による反射電子回折(II)
- 4p-NR-5 試料表面が低指数格子面に平行でない単結晶試料による反射電子回折
- 1a-N-7 シリコン単結晶表面による反射電子回折 (II)
- 3a-U-9 シリコン単結晶表面による反射電子回折