相澤 則行 | 東京学芸大学物理学

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概要

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関連著者

• 相澤 則行

  東京学芸大学物理学

• 相澤 則行

  東学大

• 早川 和延

  日立中研

• 本間 芳和

  Ntt物性基礎研

• 本間 芳和

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 本間 芳和

  NTT基礎技術総合研究所

• 本間 芳和

  Ntt物性科学基礎研究所

• 本間 芳和

  Ntt基礎総研

• 相澤 則行

  東京学芸大学教育学部自然科学系基礎自然科学講座物理科学分野

• 荻野 俊郎

  横国大

• 荻野 俊郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 本間 芳和

  東理大

• 本間 芳和

  日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所

• 相澤 則行

  東京学芸大

• 日比野 浩樹

  NTT物性科学基礎研

• 本間 芳和

  東京理科大学

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt 物性科学基礎研究所

• 荻野 俊郎

  NTT物性基礎研

• 荻野 俊郎

  NTT基礎研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

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著作論文

• 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
• 5a-H-9 Si(111)表面に形成したクレーター形状の熱処理による変化
• 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長
• 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
• 24pW-6 Si(111)表面における電界誘起ステップバンチングのサイズスケーリング
• Si(111)表面の(7×7)ドメイン形状のステップ方位依存性
• 29a-L-5 表面析出物による屈折率の変化 (RHEED)
• 30p-M-8 結晶表面が低次指数格子面に平行でない試料による反射電子回折(II)
• 4p-NR-5 試料表面が低指数格子面に平行でない単結晶試料による反射電子回折
• 1a-N-7 シリコン単結晶表面による反射電子回折 (II)
• 3a-U-9 シリコン単結晶表面による反射電子回折

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