本間 芳和 | Ntt物性基礎研
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概要
関連著者
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東京理科大学
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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荻野 俊郎
横国大
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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渡辺 義夫
Ntt物性科学基礎研究所
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渡辺 義夫
Ntt物性研
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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渡辺 義夫
SPring-8, JASRI
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渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
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鈴木 哲
農工大院工
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
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鈴木 哲
NTT物性基礎研
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FINNIE Paul
NTT物性基礎研
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河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大先端研
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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相澤 則行
東学大
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学附属先端科学研究所
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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東野 徒士之
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府大先端研
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Heun S.
Sincrotrone Trieste
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本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
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井上 直久
大阪府大
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相澤 則行
東京学芸大学教育学部自然科学系基礎自然科学講座物理科学分野
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山口 浩司
NTT基礎物性研
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研究所
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福場 伸哉
明治大理工
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Locatelli A.
Sincrotrone Trieste
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荻野 俊郎
横浜国立大学
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美馬 宏司
大阪市立大学
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山下 学
日立製作所 デバイス開発センター
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永田 忠博
独立行政法人食品総合研究所
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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大島 義文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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草野 英二
金沢工業大学
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荻野 俊郎
横浜国立大学工学府物理情報工学専攻
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井口 征夫
川崎製鉄(株)技術研究所
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
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田中 虔一
埼玉工業大学大学院工学研究科
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水谷 五郎
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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木村 康男
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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麻蒔 立男
東京理科大学・工学部
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永井 稔
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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荒木 康弘
静大電子研
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北島 正弘
金属材料技術研究所
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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山本 節夫
山口大学工学部
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栗巣 普揮
山口大学工学部
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松浦 満
山口大学工学部
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久松 広美
高エネルギー加速器研究機構
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金澤 健一
高エネルギー加速器研究機構
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末次 祐介
高エネルギー加速器研究機構
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嶋本 真幸
高エネルギー加速器研究機構
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白井 満
高エネルギー加速器研究機構
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西脇 みちる
総合研究大学院大学数物科学研究科
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佐藤 政行
高エネルギー加速器研究機構
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山本 顕弘
総合研究大学院大学数物科学研究科
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竹内 孝江
奈良女子大学
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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高木 大輔
東京理科大学理学研究科
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前田 文彦
Ntt物性基礎研
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魯 大凌
東京工業大学資源化学研究所, CREST
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鈴木 峰晴
NTTアドバンステクノロジ
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戸坂 亜希
学習院大学理学部
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五十嵐 慎一
学習院大学理学部
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平山 孝人
学習院大学理学部
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井口 大介
学習院大学理学部
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永田 忠博
農林水産省茶業試験場
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永田 忠博
食総研
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永田 忠博
農水省食品総合研究所
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和佐 清孝
横浜市立大学理学部
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麻蒔 立男
東京理科大学工学部・電気工学科
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菊地 直人
金沢工業大学AMS R&D C
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福島 和宏
金沢工業大学 AMS R&D C
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池田 佳広
金沢工業大学AMS R & D C
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彩木 傑
金沢工業大学AMS R & D C
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佐野 睦
日本原子力研究所
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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市川 昌和
アトムテクノロジー研究体
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佐藤 弘子
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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中川 行人
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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小林 慶裕
阪大
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関川 健太郎
埼玉大学
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高橋 善和
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
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南戸 秀仁
金沢工業大学
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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浅野 清光
秋田高専
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小川 倉一
大阪府立産業技術総合研究所
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小林 信一
埼玉大学
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安達 俊
学習院大学理学部
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見附 孝一郎
分子科学研究所
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関 孝男
学習院大学理学部
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阿部 彰雄
学習院大学理学部
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栗山 大人
学習院大学理学部
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日置 亜也子
大阪府立産業技術総合研究所
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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大坂 次郎
NTT物性科学基礎研究所
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棚走 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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潮田 資勝
北陸先端科学技術大学院大学
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水野 茂
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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北原 武
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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田中 英樹
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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脇本 裕之
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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佐々木 雅夫
アネルバ株式会社
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高柳 邦夫
東京工業大学
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橘内 浩之
日立製作所 機械研究所
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桜井 誠
神戸大学理学部
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吉岡 捷爾
香川大学
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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高橋 明久
東京理科大学工学部電気工学科
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塩川 善郎
アトムテクノロジー研究体
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夏川 一輝
大阪府立産業技術総合研究所
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村上 和嗣
大阪市立大学工学部
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川原 淳史
大阪市立大学工学部
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庄子 大生
東北大学電気通信研究所
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篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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安部 薫
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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斎藤 順雄
高松工専
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仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
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山口 十六夫
静岡大学
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岩田 弘
香川県工技センタ
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中村 茂昭
高松工専
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鈴木 峰晴
Nttアドバンステクノロジ(株)
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相 龍太
横浜市立大学総合理学研究科
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矢城 陽一朗
岡山理科大学総合情報学部
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内藤 賀公
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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高木 大輔
明治大院理工
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Gregoratti L.
Sincrotrone Trieste
-
Barinov A.
Sincrotrone Trieste
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Kiskinova M.
Sincrotrone Trieste
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小林 慶裕
NTT物性基礎研
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成島 哲也
筑波大学物理学科
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一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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佐藤 英樹
アネルバ株式会社
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科
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渡邉 祐樹
埼玉大学
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渡辺 義夫
Ntt物性科学基礎研究所 先端デバイス研究部
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高野 明雄
NTTアドバンステクノロジ(株)
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金持 徹
広島国際学院大学工学部電子工学科
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安田 幸夫
名古屋大学
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萩野 俊郎
NTT物性基礎研
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国井 泰夫
NTT物性科学基礎研究所
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池内 俊之
筑波大学物理工学系
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中村 忠
東海大学工学部電子工学科
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大屋 誠志郎
神奈川県産業技術総合研究所
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品部 慎治
(株)安川電機
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山本 恵彦
筑波大学物理工学系
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濱田 晃一
山口大学工学部
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川田 正国
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
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柳沢 保徳
奈良教育大学
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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森川 良樹
明電舎材料デバイス研究部
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西口 哲也
明電舎材料デバイス研究部
-
宮本 正春
明電舎材料デバイス研究部
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野中 秀彦
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
-
村上 寛
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
-
佐藤 誠
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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田口 信一郎
アネルバ株式会社
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長谷川 秀雄
防衛大学校電気工学科
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妻木 伸夫
日立製作所, 機械研究所
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松谷 貴臣
大阪工業技術研究所
-
継枝 孝行
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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金原 あきら
金沢工業大学AMSRC
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金 龍成
金属材料技術研究所
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Tonchev V.
IPCBAS
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Pimpinelli A.
LASMEA
-
フィニ ポール
NTT物性科学基礎研究所
-
平山 博之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
近藤 剛弘
筑波大学物理工学系, 筑波先端学際領域研究(TARA)センター
-
柳生 進二郎
筑波大学物理工学系
-
平岡 知己
筑波大学物理工学系
-
八木原 美奈
東京理科大学工学部電気工学科
-
荒川 知洋
東海大学工学部電子工学科
-
竹澤 英朗
東海大学工学部電子工学科
-
沢平 嘉浩
金沢工業大学ams R&d Dc
著作論文
- '97分析機器展見聞記
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 30aZP-11 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察(2)(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- 深さ分解能関数を用いたSIMS深さ方向分布の評価
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
- 半導体表面の原子構造デザイン
- 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長
- 単層カーボンナノチューブの発光
- 21aYC-3 微傾斜 Si(111)-7x7 基板上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング
- ステップの挙動II : ステップフローとその不安定化
- 薄膜・表面
- 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
- 走査電子顕微鏡で観る結晶成長表面の原子の振る舞い
- 22pTP-5 高温のシリコン昇華・成長表面におけるステップの挙動
- 22pTD-5 高温のシリコン昇華・成長表面におけるステップの挙動
- 24pW-6 Si(111)表面における電界誘起ステップバンチングのサイズスケーリング
- 24pW-4 Si(111)巨大平坦面におけるステップフロー
- GaAs(111)A基板状MBE成長過程の実空間観察
- 超高真空SEMによる結晶成長と原子ステップダイナミクスの観察
- 走査型電子顕微鏡による表面原子層のその場観察
- 26p-P-3 GaAs(111)A基板上MBE成長過程の実空間観察
- 超高真空SEMによる表面現象のその場観察
- (111)A基板上GaAs成長過程の単分子層レベル実空間観察 : 招待講演
- Si(111)表面の(7×7)ドメイン形状のステップ方位依存性
- 半導体ナノ構造・量子デバイス
- サマリー・アブストラクト