山口 浩司 | NTT基礎物性研
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概要
関連著者
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山口 浩司
NTT基礎物性研
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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堀越 佳治
Ntt基礎研
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堀越 佳治
NTT基礎研究所
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堀越 佳治
Ntt 基礎研
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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田中 直樹
東工大
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福岡 大輔
千葉大院理
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室 清文
千葉大院理
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平山 祥郎
東北大理
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音 賢一
千葉大理
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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音 賢一
千葉大院理
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平山 祥郎
東北大院理
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山崎 剛資
千葉大院理
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室 清文
千葉大理
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福岡 大輔
千葉大院自然
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田中 直樹
千葉大院自然
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山崎 剛資
千葉大院自然
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城戸 義明
立命館大理工
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池田 敦
立命館大学
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高幣 謙一郎
Ntt基礎研究所
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音 賢一
千葉大学理学部
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池田 敦
立命館大理工
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山本 安一
立命館大理工
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Kaczanowski Jan
Warsaw Univ.
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中田 穣治
NTT LSI研
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中田 穣治
Ntt Lsi研究所
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山本 安一
立命館大
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田中 直樹
東工大理
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山口 浩司
NTT基礎研
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平山 祥郎
NTT物性科学基礎研
著作論文
- 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 3p-B-14 MeV Heイオンに対する阻止能の衝突径数依存性
- 26p-P-3 GaAs(111)A基板上MBE成長過程の実空間観察
- (111)A基板上GaAs成長過程の単分子層レベル実空間観察 : 招待講演
- 26p-F-5 InAs基板表面におけるAs-As相互作用の面内異方性
- 27a-ZC-2 InAs微傾斜基板表面における表面構造相転移
- 27a-D-6 GaAs,InAs表面におけるAs脱離過程への表面再構成の影響
- (111)A基板上のInAs/GaAsヘテロエピタキシ(ヘテロエピタキシーと界面構造制御)
- 1a-L1-3 半導体周期超格子のX線回折(半導体,(表面・界面・超格子))