堀越 佳治 | Ntt 基礎研
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概要
関連著者
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堀越 佳治
NTT基礎研究所
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堀越 佳治
Ntt基礎研
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堀越 佳治
Ntt 基礎研
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小林 直樹
NTT基礎研究所
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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山口 浩司
NTT基礎物性研
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井桁 和浩
NTT基礎研究所
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鈴木 哲
仙台電波工業高等専門学校
-
水野 皓司
東北大学 電気通信研究所
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町田 進
科学技術振興事業団国際共同研究量子もつれプロジェクト
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山本 喜久
NTT基礎研
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藁科 秀男
仙台電波工業高等専門学校
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莅戸 立夫
東北大学電気通信研究所
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莅戸 立夫
東北大通研
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莅戸 立夫
理化学研究所
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山本 喜久
科学技術振興事業団国際共同研究量子もつれプロジェクト
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町田 進
NTT基礎研
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山田 巧
名古屋大学大学院工学研究科
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荒沢 正敏
東北大学電気通信研究所
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山田 巧
光エレクトロニクス研究所
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鈴木 哲
東北大学 電気通信研究所
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荒沢 正敏
東北大学 電気通信研究所
-
CHANG J.
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
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山田 巧
NTT基礎研究所
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鳥山 剛
NTT通研
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小林 直樹
NTT通研
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堀越 佳治
NTT通研
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井桁 和浩
Ntt物性科学基礎研究所
-
張 仁治
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
-
井桁 和浩
NTT基礎研
著作論文
- 4p-G-7 共振器による自然放出の制御としきい値のないレーザ
- サブミクロン径ショットキ・バリア・ダイオードの研究開発 -サブミリ波帯のデバイス及び金属/半導体界面評価の新しい手段-
- 表面光吸収法
- 表面光吸収法によるエピタキシャル成長過程の観察
- 5a-A2-13 AlAs-GaAs短周期原子層超格子のフォトルミネッセンス
- InAs表面における再構成の変化と相転移
- 26p-F-5 InAs基板表面におけるAs-As相互作用の面内異方性
- MEE成長とその応用
- 西澤潤一教授(Plenary Session)(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 27a-ZC-2 InAs微傾斜基板表面における表面構造相転移
- 27a-D-6 GaAs,InAs表面におけるAs脱離過程への表面再構成の影響
- 27a-ZG-7 III-V族半導体成長表面の光反射スペクトルその場観察における化学シフト
- マイグレ-ション・エンハンスト・エピタキシ-によるGaAs,AlGaAs成長機構
- 量子効果薄膜結晶の成長技術 (量子効果デバイスの現状と展望)
- 化合物半導体の新結晶成長法
- 2〜10μm帯半導体レ-ザ-