量子効果薄膜結晶の成長技術 (量子効果デバイスの現状と展望<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 30p-X-4 サイクロトロン共鳴磁場での遠赤外光伝導
- 4p-G-7 共振器による自然放出の制御としきい値のないレーザ
- サブミクロン径ショットキ・バリア・ダイオードの研究開発 -サブミリ波帯のデバイス及び金属/半導体界面評価の新しい手段-
- 表面光吸収法
- 表面光吸収法によるエピタキシャル成長過程の観察
- 5a-A2-13 AlAs-GaAs短周期原子層超格子のフォトルミネッセンス
- 30p-X-14 異方的な散乱による輸送
- 26a-ZB-12 高移動度二次元電子ガスにおけるバリスティック伝導
- InAs表面における再構成の変化と相転移
- 26p-F-5 InAs基板表面におけるAs-As相互作用の面内異方性
- MEE成長とその応用
- 西澤潤一教授(Plenary Session)(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 27a-ZC-2 InAs微傾斜基板表面における表面構造相転移
- 27a-D-6 GaAs,InAs表面におけるAs脱離過程への表面再構成の影響
- 27a-ZG-7 III-V族半導体成長表面の光反射スペクトルその場観察における化学シフト
- マイグレ-ション・エンハンスト・エピタキシ-によるGaAs,AlGaAs成長機構
- 量子効果薄膜結晶の成長技術 (量子効果デバイスの現状と展望)
- 化合物半導体の新結晶成長法
- 2〜10μm帯半導体レ-ザ-
- 1a-L1-3 半導体周期超格子のX線回折(半導体,(表面・界面・超格子))