山口 十六夫 | 静岡大学

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概要

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• 同名の論文著者
• 静岡大学の論文著者

関連著者

• 山口 十六夫

  静岡大学

• 山口 十六夫

  静岡大学電子工学研究所

• 仲秋 勇

  静岡県静岡工業技術センタ

• 斎藤 順雄

  宮崎大学

• 齋藤 順雄

  高松工業高等専門学校

• 高橋 秀年

  静岡大学電子科学研究科

• 青山 満

  静岡大学電子工学研究所

• 菅 博文

  浜松ホトニクス

• 吉岡 捷爾

  香川大学

• 岩田 弘

  香川高等専門学校機械工学科

• 斎藤 順雄

  高松工専

• 仲秋 勇

  静岡県富士工業技術センタ

• 早川 泰弘

  静大電研

• 岡野 泰則

  静大工

• 中村 茂昭

  高松工業高等専門学校

• 中村 茂昭

  高松工専

• 山口 十六夫

  静大電研

• 熊川 征司

  静大電研

• 今石 宣之

  九大機能研

• 平田 彰

  早大理工

• ゴン 秀英

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 岩田 弘

  香川県工技センタ

• 興津 和彦

  静大電研

• 小澤 哲夫

  静岡理工科大学

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部

• 熊川 征司

  静岡大学電子工学研究所

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部 応用化学科

• 牧野 貴光

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 今石 宣之

  九州大学

• 〓 秀英

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 斉藤 順雄

  高松工専

• 今石 宣之

  九州大学機能物質科学研究所

• 木村 忠

  静岡大

• 早川 泰弘

  静岡大学電子工学研究所

• 小松 秀樹

  静岡大学電子工学研究所

• 小山 忠信

  静大電研

• 宮澤 政文

  静大工

• 木村 忠

  静岡大学電子工学研究所

• 小山 忠信

  静岡大学電子工学研究所

• 小松 秀輝

  静岡大

• 柴田 尚弘

  静岡大学電子工学研究所

• 山口 十六夫

  静大電子研

• 橘 正人

  早稲田大学理工学部

• 木村 忠

  静岡大 電子工研

• 吉岡 捷爾

  高松工専

• 仲秋 勇

  静岡県工業技術センター

• 岩田 弘

  香川県産業技術センター

• 安濃 英治

  旭川医大物理

• 小川 正俊

  静岡大電研

• 岡野 泰則

  静岡大学電子工学研究所

• 斎藤 順雄

  静岡大学電子工学研究所

• 酒井 誠

  日本電装(株)

• 神田 洋三

  東洋大学工学部電気電子工学科

• 美馬 宏司

  大阪市立大学

• 山下 学

  日立製作所 デバイス開発センター

• 大坂 次郎

  Nttフォトニクス研究所

• 大島 義文

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 依田 真一

  宇宙開発事業団

• 草野 英二

  金沢工業大学

• 廣瀬 大介

  静大電研

• 井口 征夫

  川崎製鉄(株)技術研究所

• 鈴木 一弘

  川崎製鉄(株)技術研究所

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 田中 虔一

  埼玉工業大学大学院工学研究科

• 水谷 五郎

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 木村 康男

  東北大学電気通信研究所

• 庭野 道夫

  東北大学電気通信研究所

• 麻蒔 立男

  東京理科大学・工学部

• 永井 稔

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 富取 正彦

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 大井田 俊彦

  宇宙開発事業団宇宙環境利用システム本部宇宙環境利用研究センター

• 笠原 章

  金属材料技術研究所

• 安田 安生

  静岡大学電子工学研究所

• 福田 安生

  静岡大学電子工学研究所

• 福田 安生

  静岡大学電子科学研究科

• 畑中 義式

  静岡大

• 吉原 一紘

  金属材料技術研究所

• 市川 祐永

  鋼管計測(株)

• 鈴木 佳子

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 順三

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 福田 安生

  日本鋼管(株)中央研究所

• 荒木 康弘

  静大電子研

• 北島 正弘

  金属材料技術研究所

• 加地 博子

  岡山理科大学工学部

• 吉森 昭夫

  岡山理科大学

• 土佐 正弘

  金属材料技術研究所

• 武山 真弓

  北見工業大学電気電子工学科

• 山本 節夫

  山口大学工学部

• 栗巣 普揮

  山口大学工学部

• 松浦 満

  山口大学工学部

• 鈴木 佳子

  静大

• 久松 広美

  高エネルギー加速器研究機構

• 金澤 健一

  高エネルギー加速器研究機構

• 末次 祐介

  高エネルギー加速器研究機構

• 嶋本 真幸

  高エネルギー加速器研究機構

• 白井 満

  高エネルギー加速器研究機構

• 西脇 みちる

  総合研究大学院大学数物科学研究科

• 佐藤 政行

  高エネルギー加速器研究機構

• 山本 顕弘

  総合研究大学院大学数物科学研究科

• 竹内 孝江

  奈良女子大学

• 木内 正人

  大阪工業技術研究所

• 美本 和彦

  大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設

• 松本 貴士

  大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設

• 早川 泰弘

  静大電子研

• 熊川 征司

  静大電子研

• 魯 大凌

  東京工業大学資源化学研究所, CREST

• 戸坂 亜希

  学習院大学理学部

• 五十嵐 慎一

  学習院大学理学部

• 平山 孝人

  学習院大学理学部

• 井口 大介

  学習院大学理学部

• 和佐 清孝

  横浜市立大学理学部

• 麻蒔 立男

  東京理科大学工学部・電気工学科

• 菊地 直人

  金沢工業大学AMS R&D C

• 福島 和宏

  金沢工業大学 AMS R&D C

• 池田 佳広

  金沢工業大学AMS R & D C

• 彩木 傑

  金沢工業大学AMS R & D C

• 佐野 睦

  日本原子力研究所

• 板倉 明子

  金属材料技術研究所

• 市川 昌和

  アトムテクノロジー研究体

• 佐藤 弘子

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 杉山 治

  静岡県富士工業技術センター

• 中川 行人

  アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ

• 岡野 泰則

  静岡大学工学部

• 新船 幸二

  早稲田大学理工学部

• 関川 健太郎

  埼玉大学

• 高橋 善和

  日本真空技術株式会社筑波超材料研究所

• 南戸 秀仁

  金沢工業大学

• 依田 真一

  Nasda

• 沖村 邦雄

  東海大学工学部電子工学科

• 本間 芳和

  Ntt物性基礎研

• 浅野 清光

  秋田高専

• 小川 倉一

  大阪府立産業技術総合研究所

• 棚橋 克人

  大阪府立大学先端科学研究所

• 小林 信一

  埼玉大学

• 安達 俊

  学習院大学理学部

• 見附 孝一郎

  分子科学研究所

• 関 孝男

  学習院大学理学部

• 阿部 彰雄

  学習院大学理学部

• 栗山 大人

  学習院大学理学部

• 日置 亜也子

  大阪府立産業技術総合研究所

• 大田 暢彦

  (株)安川電機 開発研究所

• 野矢 厚

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 東野 徒士之

  大阪府立大学先端科学研究所

• 菊池 通真

  大阪府立大学先端科学研究所

• 潮田 資勝

  北陸先端科学技術大学院大学

• 水野 茂

  アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ

• 魚住 清彦

  青山学院大学理工学部

• 山田 武志

  イビデン株式会社

• Gong Xiuying

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 北原 武

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 田中 英樹

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 脇本 裕之

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 今石 宣之

  九州大機能研

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科

• 佐々木 雅夫

  アネルバ株式会社

• 小川 政俊

  東芝

• 高柳 邦夫

  東京工業大学

• 橘内 浩之

  日立製作所 機械研究所

• 本間 芳和

  Ntt物性科学基礎研究所

• 桜井 誠

  神戸大学理学部

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 高橋 明久

  東京理科大学工学部電気工学科

• 塩川 善郎

  アトムテクノロジー研究体

• 夏川 一輝

  大阪府立産業技術総合研究所

• 村上 和嗣

  大阪市立大学工学部

• 川原 淳史

  大阪市立大学工学部

• 井上 直久

  大阪府立大学先端科学研究所

• 井上 直久

  大阪府立大学 先端科学研究所

• 庄子 大生

  東北大学電気通信研究所

• 篠原 正典

  東北大学電気通信研究所

• 安部 薫

  日本真空技術(株)筑波超材料研究所

• 岩田 弘

  香川県産技センター

• 後藤 智弘

  静岡大学電子工学研究所

• 岡野 泰則

  東北大学金属材料研究所

• 相 龍太

  横浜市立大学総合理学研究科

• 矢城 陽一朗

  岡山理科大学総合情報学部

• 内藤 賀公

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 興津 和彦

  静岡大学電子工学研究所

• 中村 茂明

  高松工専

• 乾 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• 成島 哲也

  筑波大学物理学科

• 一村 信吾

  工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部

• 佐藤 英樹

  アネルバ株式会社

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科

• 渡邉 祐樹

  埼玉大学

• ROWELL Nelson

  Institute for National Measurement Standards, National Research Council

• 密岡 久仁彦

  静岡大

• 金持 徹

  広島国際学院大学工学部電子工学科

• 安田 幸夫

  名古屋大学

• 池内 俊之

  筑波大学物理工学系

• 興津 和彦

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 熊川 征司|

  静岡大学電子工学研究所

• 平田 彰

  早稲田大理工

• 橘 正人

  静大電研

• 岡野 泰則

  静大工学部

• 太坂 敏明

  早稲田大学

• Chauvaux Regis

  株式会社クレステック

• 中村 忠

  東海大学工学部電子工学科

• 大屋 誠志郎

  神奈川県産業技術総合研究所

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著作論文

• X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
• 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
• スパッタ法によるa-GeC:H薄膜の微結晶化
• SF_6を用いた高周波スパッタ法によるa-SiCS:H:F薄膜特性への高周波電力の効果
• 硫化水素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法による a-SiCS : H 薄膜
• メタンとフッ化硫黄を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiCS:H:F薄膜
• 二酸化炭素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製した a-SiC:O:H 薄膜の特性
• 三元系水素化アモルファス薄膜a-SiCO:Hの作成と特性
• スパッタ法によるアモルファスGeCO:H薄膜
• 反応性スパッタ法による酸素添加a-GeC : H薄膜
• Co-sputter法によるGe添加a-Si_xC_y:H薄膜の特性
• アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
• 分光エリプソメトリによるa-SiN_x薄膜の光学的特性評価
• 分光エリプソメトリによるInAs陽極酸化層の光学的特性評価
• 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
• エリプソメトリによる薄膜堆積初期過程の「その場」計測
• μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
• In-Ga-Sb融液の均一分散混合の地上実験 : 融液成長(一般)II
• 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
• 4ゾーン消光型分光エリプソメータの試作と応用
• サーメットの光吸収
• シリコン共鳴トンネル構造の作製と評価
• 半導体の光学特性のサイズ依存性(II) : SIMOXの上部Si層
• μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
• μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
• μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
• 戻り光の誘導変調による複合干渉計型ファイバ-センサ-
• 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
• 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
• 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
• 非晶質材料のモデル誘電率関数
• マグネトロンスパッタ法によって作製したSi系水素化非晶質半導体薄膜の特性
• 複合ターゲット法によるGa添加a-SiC:H薄膜
• InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法
• 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
• Co-sputter法によるAl及びIn添加a-SiC:H薄膜の作製と光学的特性
• 中国の回収衛星利用による多元系化合物半導体の溶解と成長
• 金属微粒子物性の粒子サイズ依存
• 硫黄不活性化処理による室温動作InAsPSb/InAs中赤外光検出器の感度向上
• 多重減衰全反射分光測光に於けるパーソナルコンピュータの利用
• 金属膜成長初期過程の高感度測定法--薄膜光導波路の一応用法
• 金属微粒子二次元分散系の光学的性質
• 金属膜成長初期過程及び金属微粒子光物性の研究への多重減衰全反射分光法の応用
• 円環マグネットによるrfスパッタ特性の改善
• 透明膜の屈折率と膜厚が分離測定可能な偏光解析法
• オートコリメーション型エリプソメーターによるRFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
• 室温動作高感度InAs/InAsPSb中赤外光検出器
• SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの生成初期過程
• 1p-N-9 貴金属微粒子のd-バンドの粒径依存
• 微小重力下(IML-2実験)でのIn/GaSb/Sb混合と凝固
• 微小重力環境下(IML-2)におけるIn-GaSb-Sb融液混合実験
• Co-sputter法によるIn添加a-SiC : H薄膜の作製と諸特性
• テトラヘドラル系水素化アモルファス半導体薄膜光センサの分光感度特性
• CF4を用いた反応性スパッタリング法で作成したa-SixCyFz薄膜の性質
• 蒸着初期の銀微粒子の光吸収
• エリプソメトリとその応用
• NiとPd微粒子の光吸収 : 伝導電子間の強い相関相互作用
• ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
• 分光エリプソメトリによる表面・薄膜の解析
• 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
• 低誘電率(low-k)層間絶縁膜の光学特性
• 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
• 非晶質材料の経験的誘電関数と膜厚揺らぎモデル
• 分光エリプソメトリによるSi基板の温度と表面層厚さのその場計測
• 膜厚測定 (VLSIプロセスにおける検査(技術ノ-ト))
• 二縦モード横ゼーマンレーザによる距離測定
• 対称周期構造多層膜と光学的に等価な均質媒質
• 多層光学薄膜素子の界面光吸収
• サマリー・アブストラクト
• InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
• 分光エリプソメトリにおける多変数解析の解の単一性
• 分光エリプソメトリ解析に有用な非晶資材料の経験的誘電率関数
• 分光エリプソメトリー解析に有用な非晶質材料の経験的誘電率関数とその応用
• SOI構造の光学的評価
• 経験的誘電関数による非晶質材料の分光エリプソメトリ解析
• 高純度GaInAsSb/InAs液相エピタキシャル層の電気的特性
• 半導体の光学特性のサイズ依存性(I)Ge
• 金属微粒子分散系の光吸収と微粒子物性のサイズ依存
• RFスパッタガラス薄膜の膜厚監視

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