鈴木 佳子 | 静大
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概要
関連著者
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鈴木 佳子
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 佳子
静大
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安田 安生
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大学電子科学研究科
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福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
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島岡 五朗
The University of New South Wales
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福田 安生
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大 電子工研
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眞田 則明
静岡大学電子工学研究所
-
佐々木 澄夫
セイコー電子工業(株)
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島岡 五朗
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大
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村田 純一
静岡大学大学院電子科学研究科
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熊野 裕司
静岡大学電子工学研究所
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立木 昌
金材技研
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名越 正泰
NKK
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庄野 安彦
東北大金研
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立木 昌
東北大金研
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名越 正泰
Nkk 基盤技術研究所
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庄野 安彦
東北大学金属材料研究所
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立木 昌
東大新領域:jst-crest
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大澤 隆雄
セイコー電子工業(株)
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大澤 隆雄
東工大原子炉
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大沢 隆雄
東工大原子炉
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大澤 隆雄
(株)第二精工舎
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大学大学院電子科学研究科
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鈴木 佳子
静大電子研
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下村 勝
静岡大電子研
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眞田 則明
静岡大学大学院電子科学研究科
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中村 高遠
静岡大学工学部
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浅井 義裕
東芝
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斉藤 順雄
高松工専
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友田 和一
地域共同研究センター
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下村 勝
静岡大 大学院電子科学研究科
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市川 祐永
静岡大 電子工研
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静大電研
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眞田 則明
静岡大電研
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福田 安生
静岡大電研
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下村 勝
静岡大電研
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鈴木 佳子
静岡大電研
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福田 安生
静大電子研
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真田 則明
静大電子研
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下村 勝
静大電子研
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真田 則明
静大電研
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鈴木 佳子
静大電研
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後藤 正
静大電研
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下村 勝
静岡大学大学院電子科学研究科
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市川 祐永
鋼管計測(株)
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市川 祐永
静岡大学大学院電子科学研究科・鋼管計測株式会社 分析センター
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斎藤 順雄
宮崎大学
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Gong Xiuying
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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畑中 義式
静大
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島岡 五郎
静大
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浅井 義裕
東芝電子技術研究所
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島岡 五朗
オーストラリア・ニューサウスウェルズ大学
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浅井 義裕
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大学
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斎藤 順雄
静岡大学電子工学研究所
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友田 和一
静岡大学地域共同研究センター
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荒川 富行
静岡大学大学院電子科学研究科
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山崎 真嗣
(株)東芝
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山下 博通
鈴木自動車工業株式会社
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竹中 直樹
松下電器産業株式会社
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Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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山下 博通
鈴木自動車工業
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眞田 則明[他]
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- 5p-YE-3 Bi-2201系酸化物の電子状態変化の電子分光法による研究
- 30p-PSB-34 Bi_Sr_CuO_yにおける電子状態変化の電子分光による研究
- 26p-PSA-53 YBa_2Cu_3O_Br_x超伝導体のXPSによる研究
- (NH_4)_2S_x溶液処理したInAs(lll)表面の研究
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- Bi_2(Sr_1-_xLa_x)_2CoO_yセラミックの作製と電子状態の研究
- 高分解能X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理 GaAs(111)A,(111)B表面の研究(II)
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InAs(001)表面の研究
- ターシャリブチル燐,トリエチル燐のSi(001)表面上での分解過程
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- 電子分光法によるトリメチル燐,トリエチル燐のSi(001),GaP(001)への吸着と分解の研究
- Si表面におけるターシャリブチルホスフィン(TBP)の吸着と分解過程の研究
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InP(001)表面の研究
- XPS,UPSによるトリエチルインジウムのGaPへの吸着と分解の研究
- X線光電子分光法によるa-Si:H/ITO,SnO_2界面の研究
- シリコンのグロー放電プラズマ酸化膜のX線光電子分光法による評価
- 5)アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 窒素イオンビームによるInAs(001)表面の窒化
- 窒素イオンビームによるInAs(001)表面の窒化
- 窒素イオンビームによるInP(001)表面の窒化
- 窒素イオンビームによるInP(001)表面の窒化
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- (NH_4)_2S_x処理したGaAs表面のX線光電子分光法による研究
- ZnSヘテロエピタキシャル薄膜の構造と電子線照射の効果
- ZnS:Ag,Cl薄膜EL素子の発光特性に及ぼすY_2O_3絶縁層の影響
- a-Si_1-xC_x:H薄膜のXPS,ESRによる評価
- XPSによるa-Si_1-xC_x:H薄膜の研究
- Si基板へ真空蒸着したZnS薄膜の結晶性
- CVD法によるSi(111)基板上へのCdS薄膜のエピタキシャル成長
- ZnxCd1-xS固溶体薄膜の作成とその光学的性質
- a-SiHx : H/ITO, a-SiNx : H/Pt界面のXPSによる観察
- 負に帯電した石英ガラス基板上のa-Si1-xCx : H薄膜におけるXPSスペクトルのシフト
- Si上のCdS膜のエピタキシーに及ぼす基板表面の影響