CVD法によるSi(111)基板上へのCdS薄膜のエピタキシャル成長
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 5p-YE-3 Bi-2201系酸化物の電子状態変化の電子分光法による研究
- 30p-PSB-34 Bi_Sr_CuO_yにおける電子状態変化の電子分光による研究
- 26p-PSA-53 YBa_2Cu_3O_Br_x超伝導体のXPSによる研究
- (NH_4)_2S_x溶液処理したInAs(lll)表面の研究
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- Bi_2(Sr_1-_xLa_x)_2CoO_yセラミックの作製と電子状態の研究
- 高分解能X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理 GaAs(111)A,(111)B表面の研究(II)
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InAs(001)表面の研究
- ターシャリブチル燐,トリエチル燐のSi(001)表面上での分解過程
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- 電子分光法によるトリメチル燐,トリエチル燐のSi(001),GaP(001)への吸着と分解の研究
- Si表面におけるターシャリブチルホスフィン(TBP)の吸着と分解過程の研究
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InP(001)表面の研究
- XPS,UPSによるトリエチルインジウムのGaPへの吸着と分解の研究
- X線光電子分光法によるa-Si:H/ITO,SnO_2界面の研究
- シリコンのグロー放電プラズマ酸化膜のX線光電子分光法による評価
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- 27a-PB-2 ターシャリブチルホスフィン(TBP)のSi(001)上での分解機構の研究
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH_4)_2S_x処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- 5)アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 窒素イオンビームによるInAs(001)表面の窒化
- 窒素イオンビームによるInAs(001)表面の窒化
- 窒素イオンビームによるInP(001)表面の窒化
- 窒素イオンビームによるInP(001)表面の窒化
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理GaAs(001),(111)A,(111)B表面の研究
- (NH4)2Sx処理GaP(001),(111)A,(111)B表面の高分解能X線光電子分光(XPS)による研究
- (NH_4)_2S_x処理したGaAs表面のX線光電子分光法による研究
- ZnSヘテロエピタキシャル薄膜の構造と電子線照射の効果
- ZnS:Ag,Cl薄膜EL素子の発光特性に及ぼすY_2O_3絶縁層の影響
- a-Si_1-xC_x:H薄膜のXPS,ESRによる評価
- ZnxCd1-xS固溶体薄膜の作成とその光学的性質
- XPSによるa-Si_1-xC_x:H薄膜の研究
- Si上のCdS膜のエピタキシ-に及ぼす基板表面の影響 (第24回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- Si基板へ真空蒸着したZnS薄膜の結晶性
- CVD法によるSi(111)基板上へのCdS薄膜のエピタキシャル成長
- ZnS:Mn薄膜の構造とEL発光特性
- 移動体通信用低3次変調歪DFBレーザ
- 1.3μm歪MQW-DFBレーザモジュールの高出力・多チャンネル化の検討
- 動的軸方向ホールバーニングを考慮した相互変調歪特性の解析
- 3)CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性(テレビジョン電子装置研究会)
- ZnおよびZnCl_2を輸送剤とする封管気相輸送法によるZnO単結晶の育成
- 金属ターゲットを用いたRF反応性スパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 反応性RFスパッタリングによるZnO薄膜の結晶構造に及ぼす酸素分圧の効果
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の作成及びアニールの効果
- 複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の製作とその電気抵抗特性
- CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性
- 気相エピタキシャルにおける密着理論--エピタキシ-の理論と実例 (密着理論(第32回金属表面アカデミック研究会討論会))
- Si (110) 清浄表面のMEED観察
- CaS薄膜EL素子における絶縁層/透明電極の界面状態
- ZnO : Al透明導電膜の経時変化
- 立方晶基板上のZnO薄膜のエピタキシー
- RMEEDパターンのMCPによる観察
- Y_2O_3薄膜上のZnS:Mn薄膜の構造およびEL特性の膜厚依存性
- GaP単結晶表面構造のRHEED観察
- GaP単結晶上に蒸着した銀薄膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- ZnxCd1-xS固溶体薄膜の作成とその光学的性質
- a-SiHx : H/ITO, a-SiNx : H/Pt界面のXPSによる観察
- 負に帯電した石英ガラス基板上のa-Si1-xCx : H薄膜におけるXPSスペクトルのシフト
- Si上のCdS膜のエピタキシーに及ぼす基板表面の影響
- MgO基板上に蒸着したAg薄膜のLEED-RHEED観察
- Si上のCu/ZnS複合膜の熱処理による構造変化
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (II)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (I)
- 埋め込み法による青色発光ZnS薄膜の活性化
- Agを同時蒸着した青色発光ZnS薄膜の埋め込み法による活性化
- Si(111)基板上のCu/ZnS複合膜の熱処理により生成したZnO薄膜の性質
- 青色ELを示すZnS:Ag,Cu,Cl蛍光体粉末の作成と性質
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- Si基板上のZnS蒸着膜の構造とモルフォロジ-