Si基板上のZnS蒸着膜の構造とモルフォロジ-
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概要
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The structure and morphology of evaporated ZnS films on polished Si (111) and epitaxial Si (111) substrates have been studied by electron microscopy and reflection high energy electron diffraction (RHEED). Epitaxial ZnS films were obtained at a substrate temperature of 200°C. All ZnS epitaxial films evaporated at substrate temperatures ranging from 200 to 300°C contained {111} microtwins. These films had zincblende structure and showed preferential orientation : (111), [110] ZnS// (111), [110] Si. It was found that the crystallinity of ZnS films on the substrate was changed significantly when the substrates were irradiated with electrons immediately before the deposition.
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