島岡 五朗 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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島岡 五朗
静岡大学電子工学研究所
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島岡 五朗
The University of New South Wales
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 佳子
静岡大学電子工学研究所
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伊ケ崎 泰宏
静大電子研
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伊ケ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 佳子
静大
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清水 安元
静岡大学大学院電子科学研究科
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Ohno Morifumi
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
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大野 守史
沖セミコンダクター(株)
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Ohno Morifumi
Semiconductor Technology Laboratory Oki Electric Industry Co. Ltd.
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大久保 純一
静岡大学電子工学研究所
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清水 安元
静岡大学電子工学研究所
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大野 守史
静岡大学電子工学研究所
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大野 守史
(株) ソルテック
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大
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島岡 五朗
オーストラリア・ニューサウスウェルズ大学
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斎藤 順雄
静岡大学電子工学研究所
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荒川 富行
静岡大学大学院電子科学研究科
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林 智幸
静岡大学電子工学研究所
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富岡 和彦
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 友久
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学
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石田 明広
静岡大学工学部
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福田 安生
静岡大学電子工学研究所
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中村 高遠
静岡大学工学部
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阿部 哲也
日本原子力研究所 那珂研究所
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井本 文夫
静岡大学工学部工業化学科
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藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
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井本 文夫
静岡大学工学部
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加藤 益
鳥取大学工学部
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藤安 洋
静岡大学工学部
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石野 健英
静岡大学工学部
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小原 建治郎
日本原子力研究所
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浅井 義裕
静岡大学電子工学研究所
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小宮 宗治
日本真空技研
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小西 亮介
鳥取大学工学部
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伊ヶ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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本間 禎一
東大生研
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三橋 広二
静岡大学電子工学研究所
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山下 博通
鈴木自動車工業株式会社
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小林 正典
高エネルギー加速器研究機構
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石丸 肇
高エネルギー物理学研究所
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田中 彰博
東大生研
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横倉 賢治
日本原子力研究所
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清水 三郎
日本真空技術
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藤田 隆志
松下電器産業 オーディオ・ビデオ研
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篠原 紘一
松下電器産業(株)材料研究所
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中西 弘
高エネルギー研
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辻 泰
東大生研
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石部 行雄
理化学研究所
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村林 岑生
浜松ホトニクス(株)
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西守 克巳
鳥取大学工学部電気電子工学科
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中村 康夫
静岡大学電子工学研究所
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島岡 五朗
静岡大学
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村上 義夫
日本原子力研究所核融合研究センター
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松浦 恵樹
浜松ホトニクス
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成島 勝也
高エネルギー物理学研究所
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水野 正保
日本真空技術(株)
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栗田 典明
静岡大学大学院電子科学研究科
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渡辺 文夫
桜の聖母学院高等学校
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島岡 五朗
静岡大 電子工研
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小川 倉一
大阪府立工業技術研究所
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大山 等
理化学研究所
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滝口 勝美
大阪府立工業技術研究所
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吉川 秀司
日本真空技術
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本城 益司
静岡大学電子工学研究所
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石川 美知昭
静岡大学電子工学研究所
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荒川 富行
静岡大学電子工学研究所
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蓬郷 章郎
松下電器産業
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井上 尚実
静岡大学電子工学研究所
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筒井 匠司
静岡大学電子工学研究所
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桐谷 仁
日本真空技術株式会社
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川本 恭士
鳥取大学工学部電子工学科
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塩山 忠義
大阪府立工業技術研究所電子部
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増田 行男
日本真空技術(株)
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徳高 平蔵
鳥取大学工学部
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四谷 任
大阪府立工業技術研究所
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村上 弘三
静岡大学電子工学研究所
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大輪 清昇
日本真空技術
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伊東 義高
静岡大学電子工学研究所
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山下 博通
鈴木自動車工業
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周 桂喜
静岡大学電子工学研究所
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小林 浩志
静岡大学電子工学研究所
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小宮 宗治
日本真空技術K.K.
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荒川 一郎
東大生研
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茂原 利男
(株)真空電子
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森本 秀敏
日本真空技術K.K.
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押井 清志
日本真空技術K.K.
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越田 達彦
日本真空技術K.K.
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森谷 博美
日本真空技術K.K.
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長嶋 登志文
日本真空技術K.K.
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堀越 源
高エネルギー物理学研究所
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石黒 勝彦
東大・大学院
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高島 克巳
鳥取大学工学部
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菊池 正志
日本真空技術K.K.
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飯島 康男
松下電器産業(株)材料研究所
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新谷 正樹
日本ビクター中央研究所
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山崎 皓一郎
日本ビクター中央研究所
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西守 克巳
鳥取大学工学部
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石野 健英
静岡大学工学部電子工学科
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阿部 哲也
日本原子力研究所
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木村 浩二
静岡大学電子工学研究所
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石田 明広
静岡大学工学部電子工学科
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吉川 秀司
日本真空技術K.K.
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増田 行男
日本真空技術K.K.
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村林 岑生
浜松ホトニクス (株)
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山崎 真嗣
静岡大学電子工学研究所
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桐谷 仁
日本真空技術K.K.
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村上 義夫
日本原子力研究所
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篠原 紘一
松下電器産業 (株) AVデバイス工法開発センター
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川本 恭士
鳥取大学工学部
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塩山 忠義
大阪府立工業技術研究所
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中西 弘
高エネルギー物理学研究所
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藤田 隆志
松下電器産業(株)材料研究所
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栗川 明典
静岡大学電子工学研究所
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山本 富章
静岡大学電子工学研究所
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松浦 恵樹
浜松ホトニクス (株)
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渡辺 文夫
桜の聖母学院高校
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菊池 正志
日本真空技術(株)
著作論文
- ZnSヘテロエピタキシャル薄膜の構造と電子線照射の効果
- 3)CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性(テレビジョン電子装置研究会)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の作成及びアニールの効果
- 複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の製作とその電気抵抗特性
- CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性
- 近代表面科学のパイオニア ファーンスワース教授
- Si (001) 面上に蒸着したAgのRMEED-LEED観察
- 亜鉛蒸着膜の酸化
- 電子線照射による岩塩表面の構造変化
- Si (110) 清浄表面のMEED観察
- ZnO : Al透明導電膜の経時変化
- 立方晶基板上のZnO薄膜のエピタキシー
- RMEEDパターンのMCPによる観察
- ZnxCd1-xS固溶体薄膜の作成とその光学的性質
- a-SiHx : H/ITO, a-SiNx : H/Pt界面のXPSによる観察
- 反応性rfスパッタリングによるZnO : Al薄膜の真空中アニーリング
- アブストラクト
- 負に帯電した石英ガラス基板上のa-Si1-xCx : H薄膜におけるXPSスペクトルのシフト
- Si上のCdS膜のエピタキシーに及ぼす基板表面の影響
- Si (111) 7×7面上に蒸着したAgのRMEED観察
- Si上のCu/ZnS複合膜の熱処理による構造変化
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (II)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (I)
- MEEDによるSi表面の観察
- 中速電子の後方散乱による結晶表面の研究
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- GaP単結晶上に蒸着した銀薄膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- Si基板上のZnS蒸着膜の構造とモルフォロジ-
- ホットウォ-ル蒸着法によるSrSe薄膜の作製 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- Y2O3および石英基板上のZnS:Mn薄膜の成長過程 (第26回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和60年11月6日〜8日,東京)
- CaS/Y2O3/SiO2/ITO多層発光薄膜の界面におけるSiO2層の効果 (第28回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- GaAs単結晶上におけるAg蒸着膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)