RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (I)
スポンサーリンク
概要
著者
-
島岡 五朗
The University of New South Wales
-
伊ケ崎 泰宏
静大電子研
-
島岡 五朗
静岡大学電子工学研究所
-
伊ケ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
-
清水 安元
静岡大学大学院電子科学研究科
-
清水 安元
静岡大学電子工学研究所
関連論文
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- 電着初期におけるセレンパッシベーション膜上のIn-Se粒成長
- スパッタ法によるInN薄膜-水素添加の影響-
- マグネトロンスパッタ法によるInN薄膜の作成と特性
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- ZnSヘテロエピタキシャル薄膜の構造と電子線照射の効果
- ZnS:Ag,Cl薄膜EL素子の発光特性に及ぼすY_2O_3絶縁層の影響
- a-Si_1-xC_x:H薄膜のXPS,ESRによる評価
- XPSによるa-Si_1-xC_x:H薄膜の研究
- Si基板へ真空蒸着したZnS薄膜の結晶性
- CVD法によるSi(111)基板上へのCdS薄膜のエピタキシャル成長
- ZnS:Mn薄膜の構造とEL発光特性
- ZnO:Al透明導電膜の経時変化 (第27回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和61年11月12日〜14日,大阪)
- 3)CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性(テレビジョン電子装置研究会)
- ZnおよびZnCl_2を輸送剤とする封管気相輸送法によるZnO単結晶の育成
- サファイア基板上に成長させたZnO:Gaスパッタ膜の諸特性
- ZnOスパッタ膜の諸特性に及ぼすIIIa元素添加の効果
- InSe電着膜の成長 : 基板としての電極材料の影響
- rfマグネトロンスパッタリングによる酸化亜鉛薄膜の成膜速度
- ZnO:Alエピタキシャル薄膜の電気特性の膜厚依存性 (第31回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 反応性スパッタリングによるZnO:Al透明導電膜の低温成長
- 立方晶基板上のZnO薄膜のエピタキシ- (第27回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和61年11月12日〜14日,大阪)
- 金属ターゲットを用いたRF反応性スパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 反応性RFスパッタリングによるZnO薄膜の結晶構造に及ぼす酸素分圧の効果
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の作成及びアニールの効果
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長-2- (第23回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和57年11月,神戸)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (第23回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和57年11月,神戸)
- 細線複合タ-ゲット法によるTi-Fe系合金膜の作製
- 複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の製作とその電気抵抗特性
- チタン化合物固溶体膜の電気伝導機構その2 : Ti-N薄膜における負の抵抗温度係数
- Bloch-Gruneisen積分の多項式表現
- チタン化合物固溶体膜の電気伝導機構 : その1Ti-N
- チタニウム蒸着膜の電気特性におよぼす基板温度の影響
- 6a-KH-1 CdS-MnS混晶の光学,磁気特性III
- CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性
- 近代表面科学のパイオニア ファーンスワース教授
- Si (001) 面上に蒸着したAgのRMEED-LEED観察
- 亜鉛蒸着膜の酸化
- 電子線照射による岩塩表面の構造変化
- 気相エピタキシャルにおける密着理論--エピタキシ-の理論と実例 (密着理論(第32回金属表面アカデミック研究会討論会))
- X線光電子分光法による窒化チタン薄膜の定量分析
- Si (110) 清浄表面のMEED観察
- CaS薄膜EL素子における絶縁層/透明電極の界面状態
- ZnO : Al透明導電膜の経時変化
- 立方晶基板上のZnO薄膜のエピタキシー
- RMEEDパターンのMCPによる観察
- Y_2O_3薄膜上のZnS:Mn薄膜の構造およびEL特性の膜厚依存性
- GaP単結晶表面構造のRHEED観察
- GaP単結晶上に蒸着した銀薄膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- ZnxCd1-xS固溶体薄膜の作成とその光学的性質
- a-SiHx : H/ITO, a-SiNx : H/Pt界面のXPSによる観察
- ZnO : Alエピタキシャル薄膜の電気特性の膜厚依存性
- マグネトロン化のための簡易型ターゲットホルダーの試作
- 金属ターゲットを用いた反応性rfマグネトロンスパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製
- 反応性rfスパッタリングによるZnO : Al薄膜の真空中アニーリング
- 金属ターゲットを用いたRF反応性スパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製 II : 酸素混合比の影響
- アブストラクト
- 負に帯電した石英ガラス基板上のa-Si1-xCx : H薄膜におけるXPSスペクトルのシフト
- Si上のCdS膜のエピタキシーに及ぼす基板表面の影響
- Si (111) 7×7面上に蒸着したAgのRMEED観察
- MgO基板上に蒸着したAg薄膜のLEED-RHEED観察
- Si上のCu/ZnS複合膜の熱処理による構造変化
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (II)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (I)
- 埋め込み法による青色発光ZnS薄膜の活性化
- Agを同時蒸着した青色発光ZnS薄膜の埋め込み法による活性化
- Si(111)基板上のCu/ZnS複合膜の熱処理により生成したZnO薄膜の性質
- 青色ELを示すZnS:Ag,Cu,Cl蛍光体粉末の作成と性質
- 細線複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の作製
- MEEDによるSi表面の観察
- 中速電子の後方散乱による結晶表面の研究
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- GaP単結晶上に蒸着した銀薄膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- Si基板上のZnS蒸着膜の構造とモルフォロジ-
- ホットウォ-ル蒸着法によるSrSe薄膜の作製 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- Y2O3および石英基板上のZnS:Mn薄膜の成長過程 (第26回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和60年11月6日〜8日,東京)
- CaS/Y2O3/SiO2/ITO多層発光薄膜の界面におけるSiO2層の効果 (第28回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- GaAs単結晶上におけるAg蒸着膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)