GaP単結晶上に蒸着した銀薄膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- ZnSヘテロエピタキシャル薄膜の構造と電子線照射の効果
- ZnS:Ag,Cl薄膜EL素子の発光特性に及ぼすY_2O_3絶縁層の影響
- a-Si_1-xC_x:H薄膜のXPS,ESRによる評価
- XPSによるa-Si_1-xC_x:H薄膜の研究
- Si基板へ真空蒸着したZnS薄膜の結晶性
- CVD法によるSi(111)基板上へのCdS薄膜のエピタキシャル成長
- ZnS:Mn薄膜の構造とEL発光特性
- 3)CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性(テレビジョン電子装置研究会)
- ZnおよびZnCl_2を輸送剤とする封管気相輸送法によるZnO単結晶の育成
- 金属ターゲットを用いたRF反応性スパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 反応性RFスパッタリングによるZnO薄膜の結晶構造に及ぼす酸素分圧の効果
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の作成及びアニールの効果
- 複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の製作とその電気抵抗特性
- CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性
- 気相エピタキシャルにおける密着理論--エピタキシ-の理論と実例 (密着理論(第32回金属表面アカデミック研究会討論会))
- Si (110) 清浄表面のMEED観察
- CaS薄膜EL素子における絶縁層/透明電極の界面状態
- ZnO : Al透明導電膜の経時変化
- 立方晶基板上のZnO薄膜のエピタキシー
- RMEEDパターンのMCPによる観察
- Y_2O_3薄膜上のZnS:Mn薄膜の構造およびEL特性の膜厚依存性
- GaP単結晶表面構造のRHEED観察
- GaP単結晶上に蒸着した銀薄膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- ZnxCd1-xS固溶体薄膜の作成とその光学的性質
- Si上のCdS膜のエピタキシーに及ぼす基板表面の影響
- MgO基板上に蒸着したAg薄膜のLEED-RHEED観察
- Si上のCu/ZnS複合膜の熱処理による構造変化
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (II)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (I)
- 埋め込み法による青色発光ZnS薄膜の活性化
- Agを同時蒸着した青色発光ZnS薄膜の埋め込み法による活性化
- Si(111)基板上のCu/ZnS複合膜の熱処理により生成したZnO薄膜の性質
- 青色ELを示すZnS:Ag,Cu,Cl蛍光体粉末の作成と性質