島岡 五朗 | The University of New South Wales
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
島岡 五朗
The University of New South Wales
-
島岡 五朗
静岡大学電子工学研究所
-
鈴木 佳子
静岡大学電子工学研究所
-
伊ケ崎 泰宏
静大電子研
-
鈴木 佳子
静大
-
伊ケ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
Ohno Morifumi
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
-
大野 守史
沖セミコンダクター(株)
-
Ohno Morifumi
Semiconductor Technology Laboratory Oki Electric Industry Co. Ltd.
-
清水 安元
静岡大学大学院電子科学研究科
-
大野 守史
静岡大学電子工学研究所
-
大野 守史
(株) ソルテック
-
中西 洋一郎
静岡大
-
斉藤 順雄
高松工専
-
荒川 富行
静岡大学大学院電子科学研究科
-
山崎 真嗣
(株)東芝
-
山下 博通
鈴木自動車工業株式会社
-
清水 安元
静岡大学電子工学研究所
-
山下 博通
鈴木自動車工業
-
中西 洋一郎
静岡大学
-
鈴木 友久
ミネベア株式会社
-
安田 安生
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学大学院工学研究科電子工学
-
福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
-
荻田 正巳
静岡大学工業短期大学部
-
斎藤 順雄
宮崎大学
-
中村 高遠
静岡大学工学部
-
立岡 浩一
静岡大学工学部
-
桑原 弘
静岡大学工学部
-
藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
-
藤安 洋
静岡大学工学部
-
上田 隆三
早大理工
-
桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
三橋 広二
静岡大学電子工学研究所
-
竹中 直樹
松下電器産業株式会社
-
荻田 正巳
静岡大 工
-
藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
-
坂本 文彦
日南田電気株式会社
-
村林 岑生
浜松ホトニクス(株)
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
中村 康夫
静岡大学電子工学研究所
-
福田 安生
静岡大 電子工研
-
松浦 恵樹
浜松ホトニクス
-
栗田 典明
静岡大学大学院電子科学研究科
-
島岡 五朗
静岡大 電子工研
-
大久保 純一
静岡大学電子工学研究所
-
林 智幸
静岡大学電子工学研究所
-
本城 益司
静岡大学電子工学研究所
-
石川 美知昭
静岡大学電子工学研究所
-
荒川 富行
静岡大学電子工学研究所
-
大野 守史
静岡大学大学院電子科学研究科
-
島岡 五朗
静岡大学大学院電子科学研究科
-
村上 弘三
静岡大学電子工学研究所
-
坂本 文彦
日本電気株式会社
-
周 桂喜
静岡大学電子工学研究所
-
村林 岑生
浜松ホトニクス (株)
-
松浦 恵樹
浜松ホトニクス (株)
著作論文
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- ZnSヘテロエピタキシャル薄膜の構造と電子線照射の効果
- ZnS:Ag,Cl薄膜EL素子の発光特性に及ぼすY_2O_3絶縁層の影響
- a-Si_1-xC_x:H薄膜のXPS,ESRによる評価
- XPSによるa-Si_1-xC_x:H薄膜の研究
- Si基板へ真空蒸着したZnS薄膜の結晶性
- CVD法によるSi(111)基板上へのCdS薄膜のエピタキシャル成長
- ZnS:Mn薄膜の構造とEL発光特性
- 3)CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性(テレビジョン電子装置研究会)
- ZnおよびZnCl_2を輸送剤とする封管気相輸送法によるZnO単結晶の育成
- 金属ターゲットを用いたRF反応性スパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 反応性RFスパッタリングによるZnO薄膜の結晶構造に及ぼす酸素分圧の効果
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の作成及びアニールの効果
- 複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の製作とその電気抵抗特性
- CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性
- 気相エピタキシャルにおける密着理論--エピタキシ-の理論と実例 (密着理論(第32回金属表面アカデミック研究会討論会))
- Si (110) 清浄表面のMEED観察
- CaS薄膜EL素子における絶縁層/透明電極の界面状態
- ZnO : Al透明導電膜の経時変化
- 立方晶基板上のZnO薄膜のエピタキシー
- RMEEDパターンのMCPによる観察
- Y_2O_3薄膜上のZnS:Mn薄膜の構造およびEL特性の膜厚依存性
- GaP単結晶表面構造のRHEED観察
- GaP単結晶上に蒸着した銀薄膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- ZnxCd1-xS固溶体薄膜の作成とその光学的性質
- Si上のCdS膜のエピタキシーに及ぼす基板表面の影響
- MgO基板上に蒸着したAg薄膜のLEED-RHEED観察
- Si上のCu/ZnS複合膜の熱処理による構造変化
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (II)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (I)
- 埋め込み法による青色発光ZnS薄膜の活性化
- Agを同時蒸着した青色発光ZnS薄膜の埋め込み法による活性化
- Si(111)基板上のCu/ZnS複合膜の熱処理により生成したZnO薄膜の性質
- 青色ELを示すZnS:Ag,Cu,Cl蛍光体粉末の作成と性質