伊ケ崎 泰宏 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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伊ケ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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伊ケ崎 泰宏
静大電子研
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島岡 五朗
The University of New South Wales
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島岡 五朗
静岡大学電子工学研究所
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清水 安元
静岡大学大学院電子科学研究科
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三橋 広二
静岡大学電子工学研究所
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藤原 武
静岡大学電子科学研究科
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中村 康夫
静岡大学電子工学研究所
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栗田 典明
静岡大学大学院電子科学研究科
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清水 安元
静岡大学電子工学研究所
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矢部 勝昌
北海道工業技術研究所
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鈴木 正昭
北海道工業開発試験所
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山科 俊郎
北海道大学工学部
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荒川 富行
静岡大学大学院電子科学研究科
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和田 俊一
静岡大学電子工学研究所
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神間 博和
静岡大学電子工学研究所
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菅 勝行
静岡大学工学研究科電子工学専攻
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石川 美知昭
静岡大学電子工学研究所
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荒川 富行
静岡大学電子工学研究所
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矢部 勝昌
北海道工業開発試験所
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井上 尚実
静岡大学電子工学研究所
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筒井 匠司
静岡大学電子工学研究所
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三橋 廣二
静岡大学電子工学研究所
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小林 浩志
静岡大学電子工学研究所
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山科 俊郎
北海道大学
著作論文
- 電着初期におけるセレンパッシベーション膜上のIn-Se粒成長
- ZnO:Al透明導電膜の経時変化 (第27回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和61年11月12日〜14日,大阪)
- InSe電着膜の成長 : 基板としての電極材料の影響
- rfマグネトロンスパッタリングによる酸化亜鉛薄膜の成膜速度
- ZnO:Alエピタキシャル薄膜の電気特性の膜厚依存性 (第31回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 反応性スパッタリングによるZnO:Al透明導電膜の低温成長
- 立方晶基板上のZnO薄膜のエピタキシ- (第27回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和61年11月12日〜14日,大阪)
- 金属ターゲットを用いたRF反応性スパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 反応性RFスパッタリングによるZnO薄膜の結晶構造に及ぼす酸素分圧の効果
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の作成及びアニールの効果
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長-2- (第23回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和57年11月,神戸)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (第23回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和57年11月,神戸)
- 細線複合タ-ゲット法によるTi-Fe系合金膜の作製
- 複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の製作とその電気抵抗特性
- チタン化合物固溶体膜の電気伝導機構その2 : Ti-N薄膜における負の抵抗温度係数
- Bloch-Gruneisen積分の多項式表現
- チタン化合物固溶体膜の電気伝導機構 : その1Ti-N
- チタニウム蒸着膜の電気特性におよぼす基板温度の影響
- 6a-KH-1 CdS-MnS混晶の光学,磁気特性III
- X線光電子分光法による窒化チタン薄膜の定量分析
- ZnO : Al透明導電膜の経時変化
- 立方晶基板上のZnO薄膜のエピタキシー
- 反応性rfスパッタリングによるZnO : Al薄膜の真空中アニーリング
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (II)
- RF反応性スパッタリングによるZnO薄膜の成長 (I)
- 細線複合ターゲット法によるTi-Fe系合金膜の作製
- 反応性RFスパッタ法によるZnO膜の構造に及ぼす基板バイアス効果(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)