四谷 任 | 大阪府立工業技術研究所
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概要
関連著者
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四谷 任
大阪府立工業技術研究所
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小川 倉一
大阪府立工業技術研究所
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滝口 勝美
大阪府立工業技術研究所
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鈴木 義彦
大阪府立工業技術研究所
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塩山 忠義
大阪府立工業技術研究所
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塩山 忠義
大阪府立工業技術研究所電子部
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山本 純也
大阪大学低温センター
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四谷 任
阪府大ナノ研
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小宮 宗治
日本真空技研
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小林 正典
高エネルギー加速器研究機構
著作論文
- アブストラクト
- アブストラクト
- IBS法によるZnO薄膜の作製
- TaN薄膜素子を用いたピラニ型真空計の試作
- TaN薄膜素子を用いたピラニ型真空計の形状効果とガス依存性
- 低温におけるNb1-xNx薄膜の電気的特性 (第27回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和61年11月12日〜14日,大阪)
- Zr-Nを用いた低温用温度計 (第27回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和61年11月12日〜14日,大阪)
- 低エネルギ-イオンを利用したDIBS法によるa-Si:H薄膜の作製(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 反応性イオンビ-ムスパッタによるTaCの作製 (第21回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)