伊藤 昭夫 | 日本真空技術(株)
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概要
関連著者
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伊藤 昭夫
日本真空技術(株)
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伊藤 昭夫
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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稲川 幸之助
日本真空技術(株) 千葉超材料研究所
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稲川 幸之助
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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渡辺 一弘
日本真空技術(株)
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太田 賀文
日本真空技術株式会社
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中村 久三
日本真空技術(株) 千葉超材研
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日本真空技術 (株) 超材料研究所 筑波研究所
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中村 久三
日本真空技術(株)
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太田 賀文
日本真空技術(株)
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斉藤 一也
日本真空技術 筑波超材研
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稲川 幸之助
日本真空技術株式会社
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中村 久三
日本真空技術(株)超材料研究所
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稲川 幸之助
日本真空技術 (株) 超材料研究所筑波研究所
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斎藤 一也
日本真空技術株式会社
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林 主税
日本真空技術株式会社
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斎藤 一也
(株)アルバック筑波超材料研究所
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高橋 善和
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
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飯島 正行
日本真空技術(株) 筑波超材料研究所
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日本真空技術(株)超材料研究所
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林 主税
日本真空技術(株)超材料研究所
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林 康明
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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田中 一郎
日本真空技術 (株) 超材料研究所 筑波研究所
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林 康明
京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子システム工学専攻
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林 主税
日本真空技術 (株)
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飯島 正行
日本真空技術 (株) 筑波超材料研究所
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斉藤 一也
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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斎藤 一也
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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村上 義夫
日本原子力研究所
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高橋 善和
日本真空技術 (株) 筑波超材料研究所
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山田 太起
日本真空技術(株)
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渡辺 一弘
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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美馬 宏司
大阪市立大学
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籠田 和徳
佐賀大学理工学部
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西村 秀紀
福岡大学理学部
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浦野 俊夫
神戸大学工学部
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村上 寛
電子技術総合研究所
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阿部 哲也
原研
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平松 成範
高エネルギー物理学研究所
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院
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村上 義夫
日本原子力研究所那珂研究所
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久保 富夫
高エネルギー加速器研究機構
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林 俊雄
日本真空技術(株)技術開発部
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前田 高雄
東京理科大学工学部電気工学科
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戸田 義継
電子技術総合研究所
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阿部 哲也
日本原子力研究所 那珂研究所
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伊藤 昭夫
富士通研究所ペリフェラルシステム研究所計測制御システム研究部
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前田 高雄
東京理科大学工学部
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橋場 正男
北海道大学工学部
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小野 雅敏
電子技術総合研究所
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古屋 貴章
高エネルギー加速器研究機構
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宇佐美 誠二
横浜国立大学工学部
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鳳 紘一郎
電子技術総合研究所
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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小貫 英雄
電子技術総合研究所
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宗村 哲雄
東京理科大学工学部電気工学科
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塚越 修
日本真空技術(株)技術開発部
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高橋 弓弦
大阪府立工業技術研究所
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小宮 宗治
日本真空技研
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国分 清秀
電子技術総合研究所
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松浦 正道
日本真空技術(株)超材料研究所
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松浦 正道
日本真空技術 筑波超材料研
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兼松 太
大阪市立大学工学部
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平田 正紘
電子技術総合研究所
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阿部 哲也
原研 那珂研
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小林 正典
高エネルギー加速器研究機構
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石丸 肇
高エネルギー物理学研究所
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金持 徹
神戸大学工学部
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塚越 清美
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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水野 元
高エネルギー加速器研究機構(KEK)
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百瀬 丘
高エネルギー物理学研究所
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湯池 祥之
日本真空技術(株)
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金戸 成
(株)大阪真空機器製作所
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村上 義夫
日本原子力研究所核融合研究センター
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中村 和幸
日本原子力研究所
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飯島 正行
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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成島 勝也
高エネルギー物理学研究所
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渡辺 文夫
桜の聖母学院高等学校
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堀越 源一
高エネルギー物理学研
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斎藤 駿次
日立製作所茂原工場
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鈴木 行男
日立製作所茂原工場
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荒川 一郎
東京大学生産技術研究所
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金 文沢
東京大学生産技術研究所
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小川 倉一
大阪府立工業技術研究所
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滝口 勝美
大阪府立工業技術研究所
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山口 博司
高エネルギー物理学研究所
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塚原 園子
日本真空技術
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泉 宏比呂
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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小宮 宗治
日本真空技術(株)
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伊藤 裕
(株) 日立製作所
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溝口 忠憲
(株) 日立製作所
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佐川 準基
(株) 日立製作所
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梶浦 宗次
(株) 日立製作所日立工場
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渡部 広美
高エネルギー物理学研究所
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八木 邦夫
大阪市立大学工学部
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大石 健司
横浜国立大学工学部
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斉藤 茂
東京理科大学
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藤岡 俊昭
日本真空技術株式会社
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杉浦 英雄
日本電信電話公社 茨城電気通信研究所
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山口 真史
日本電信電話公社 茨城電気通信研究所
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渋川 篤
日本電信電話公社 茨城電気通信研究所
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四谷 任
大阪府立工業技術研究所
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及川 永
(株)大阪真空機器製作所
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中川 利春
日本真空技術 超材研
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新井 明男
神戸大学工学部応用物理
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茂原 利男
(株)真空電子
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塚原 園子
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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浦野 俊夫
神戸大学工学部応用物理
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山科 俊郎
北海道大学
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阿部 哲也
日本原子力研究所
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辻 泰
東京大学生産技術研究所
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高 衛
中国科学院北京真空物理研究室, 現在日本真空超材料研究所滞在中
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尾上 公正
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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松岡 新吾
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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関野 一仁
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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飯島 正行
日本真空技術 (株) 超材料研究所筑波研究所
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塚越 清美
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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斉藤 一也
日本真空技術 (株) 超材料研究所 筑波研究所
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稲川 幸之助
日本真空技術 (株) 超材料研究所 筑波研究所
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溝口 忠憲
(株) 日立製作所日立工場
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高橋 善和
日本真空技術 (株) 超材料研究所筑波研究所
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西田 啓一
大阪酸素工業 (株) 中央研究所
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佐竹 徹
北海道大学工学部
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久保 富夫
高エネルギー物理学研究所
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塩山 忠義
大阪府立工業技術研究所
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中西 弘
高エネルギー物理学研究所
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佐川 準基
(株) 日立製作所日立工場
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毛利 衛
北海道大学工学科
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山本 純也
大阪大学低温センター
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橋場 正男
北海道大学工学科
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伊藤 裕
(株) 日立製作所日立工場
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中川 利春
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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渡辺 文夫
桜の聖母学院高校
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伊藤 昭夫
日本真空技術 (株) 超材料研究所 筑波研究所
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伊藤 昭夫
日本真空技術 (株) 超材料研究所筑波研究所
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松浦 正道
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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三角 明
日立製作所
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菊池 正志
日本真空技術(株)
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小松 清
日本真空技術株式会社
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橋本 秀則
福岡大学理学部 応用物理学科
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北村 英男
高エネルギー物理学研究所
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後藤 正敏
大阪酸素工業(株)中央研究所
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本田 達朗
神戸大学工学部応用物理
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Grosse G.
桜の聖母学院高等学校
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Messer G.
桜の聖母学院高等学校
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Wandrey D.
桜の聖母学院高等学校
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岡本 貢
大阪酸素工業(株)中央研究所
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渡辺 広美
高エネルギー物理学研究所
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木下 時重
日本シード研究所
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Manos Dennis
日本電信電話公社茨城電気通信研究所
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BUDNY Robert
日本電信電話公社茨城電気通信研究所
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COHEN Sam
日本電信電話公社茨城電気通信研究所
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北田 雅嗣
横浜国立大学工学部
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駒形 和行
日本真空技術(株)
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電子技術総合研究所
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阿刀田 伸史
電子技術総合研究所
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前田 高雄
東京理科大学
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宗村 哲雄
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湯池 祥之
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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藤岡 俊昭
日本真空技術(株)
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古屋 貴章
高エネルギー物理学研究所
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山口 真史
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籠田 和徳
佐賀大学理工学部 電子工学科
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小松 清
日本真空技術(株)
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日本真空技術(株)
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日本真空技術
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林 俊雄
日本真空技術(株)
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横浜国立大
著作論文
- 偏光解析法を利用した膜厚モニタ (第23回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和57年11月,神戸)
- 2A06 JT-60第一壁保護膜の開発
- ARE(活性化反応性蒸着)法によるcBN膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
- セラミックス微細コ-ティングと最近の話題 (セラミックスの最新コ-ティング技術)
- 4.3.6 超高真空技術とその応用(4. 未来はどうなる)(4.3 新分野はまねく)
- 超硬性被膜の形成 (新しい表面処理技術)
- EF-09 RECORDING AND REPRODUCTING PROPERTIES OF MAGNETIC TAPE BY HIGH INCIDENCE ANGLE NUCLEATION METHOD(1982年インタ-マグ報告)
- AF-04 "GT TARGET", A NEW HIGH RATE SPUTTERING TARGET OF MAGNETIC MATERIALS(1982年インタ-マグ報告)
- AF-02 MAGNETIC PROPERTIES OF THIN FILMS PREPARED BY CONTINUOUS VAPOR DEPOSITION(1982年インタ-マグ報告)
- セラミックコ-ティング膜の評価 (セラミックスの接合とコ-ティング)
- 表面コ-ティングにおける真空技術 (最近の真空技術)
- ユニ-クな材料を開発するための真空技術
- 偏光解析モニタのプロセス装置への組み込みに対する対策
- 偏光解析法を利用した膜厚モニタ
- TiCを被覆したJT-60用第一壁材料の開発 (III) : HCD-ARE法によるインコネル基材へのコーティング
- アブストラクト
- 真空中での芳香族ポリイミドの合成(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 真空中での芳香族ポリアミドの合成(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- HCD-ARE法による炭化ケイ素膜の形成(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- Ti-N薄膜のガス放出特性-1- (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)