斎藤 順雄 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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斎藤 順雄
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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仲秋 勇
静岡県静岡工業技術センタ
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冨岡 雄吾
静岡大学電子工学研究所
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仲秋 勇
静岡県工業技術センター
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田中 孝彦
静岡県工業技術センター
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河村 和彦
新日本製鉄株式会社 エレクトロニクス研究所
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 佳子
静岡大学電子工学研究所
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吉岡 捷爾
香川大学
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吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校電気工学科
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中村 茂昭
高松工業高等専門学校
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山口 十六夫
静岡大学
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乾 靖彦
静岡大学電子工学研究所
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島岡 五朗
静岡大学電子工学研究所
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乾 靖彦
静岡大学工学部
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中村 茂昭[他]
高松工専
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吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校
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鈴木 佳子
静大
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斎藤 順雄
宮崎大学
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中村 高遠
静岡大学工学部
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後藤 智弘
静岡大学電子工学研究所
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芝山 宗昭
四国総合研究所
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篠崎 啓助
静岡大学電子科学研究科
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吉田 和敏
(株) 小糸製作所
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吉田 和敏
(株)小糸製作所
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青木 孝治
静岡大学電子工学研究所
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三宮 仁
静岡大学電子工学研究所
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中村 茂昭[他]
高松工業高等専門学校一般教育科
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山田 武志
静岡大学電子工学研究所
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河村 和彦
新日本製鉄株式会社エレクトロニクス研究所
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河村 和彦
新日本製鉄株式会社中央研究本部第一技術研究所
著作論文
- 窒素微量添加によるP-CVD a-SiC:H膜の光導電率の改善
- 高真空蒸着によるGe_1_-_xSe_x薄膜の作成と電気的光学的特性
- Co-sputter法によるIn添加a-SiC : H薄膜の作製と諸特性
- 蒸着初期の銀微粒子の光吸収
- CF4を用いた反応性スパッタリング法で作成したa-SixCyFz薄膜の性質
- CH4を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC : H薄膜の作製条件依存性
- 負に帯電した石英ガラス基板上のa-Si1-xCx : H薄膜におけるXPSスペクトルのシフト
- 導電率の温度係数が負を示すプラズマCVD a-SiC : H 膜形成への高周波電力の影響
- 反応性マグネトロンスパッタ法で作製したa-GeC : H薄膜の特性
- プラズマCVD法 a-Si1-xCx : H膜の導電率のアニール特性
- プラズマCVD法により形成したa-SiC:H膜の基板温度依存性
- a-SiC:H薄膜のXPSによる観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 窒素導入マグネトロンスパッタa-SiC:H薄膜の特性 (第31回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- プレ-ナマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSi1-xGex:Hの特性
- Co-sputter法によるAl及びB添加a-SiC:H薄膜の電気的特性
- マグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC:Hの光学的,電気的特性
- Co-sputter法によるa-SixCyAlz:H薄膜の作製と特性 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- Co-sputter法によるB添加a-SiC:H薄膜の作製と光学的特性 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)