山口 十六夫 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大学
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静岡大学電子科学研究科
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静岡大学電子工学研究所
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静岡大学電子工学研究所
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静岡大学電子工学研究所
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静岡大学電子工学研究所
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静岡大学電子工学研究所
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カナダ度量衡研究所
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旭川医大物理
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九州大学機能物質科学研究所
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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牧野 貴光
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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静岡大電研
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橘 正人
早稲田大学理工学部
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吉岡 捷爾
香川大学
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斎藤 順雄
高松工専
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仲秋 勇
静岡県静岡工業技術センタ
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吉岡 捷爾
高松工専
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興津 和彦
静大電研
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早川 秦弘
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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本島 修
核融合科学研究所
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金子 英司
東洋大学工学部
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加藤 茂樹
高エネルギー加速器研究機構
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久保 和也
北海道大学工学部
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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坂本 吉亮
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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和田 直己
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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奥田 昌宏
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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高橋 夏木
日本真空技術(株)産業機器事業部
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大久保 治
日本真空技術(株)産業機器事業部
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斎藤 和雄
名古屋工業技術研究所
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鈴木 芳生
日立製作所中央研究所
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清水 肇
電子技術総合研究所
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小林 康宏
川崎製鉄(株)技術研究所
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畑村 洋太郎
東京大学工学部
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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村上 寛
電子技術総合研究所
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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広畑 優子
北海道大学大学院工学研究科
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上田 新次郎
株式会社日立製作所機械研究所
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石川 雄一
株式会社日立製作所機械研究所
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斎藤 一也
日本真空技術株式会社
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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関根 重幸
電子技術総合研究所
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武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
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佐藤 幸恵
日本真空技術(株)筑波超材研
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黒河内 智
理化学研究所
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渡部 秀
理化学研究所
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本間 禎一
千葉工業大学工学部
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赤石 憲也
核融合科学研究所
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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小島 昭
群馬工業高等専門学校
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佐久間 泰
ダイゴールド株式会社
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加藤 隆男
株式会社荏原総合研究所精密電子研究所
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高木 祥示
東邦大学理学部
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柿原 和久
高エネルギー加速器研究機構
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関口 敦
日電アネルバ
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加藤 正明
群馬工業高等専門学校
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久保田 雄輔
核融合科学研究所
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斉藤 芳男
高エネルギー物理学研究所
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永井 康睦
日立電線(株)システムマテリアル研究所
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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大谷 和男
大阪工業技術研究所
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道園 真一郎
高エネルギー加速器研究機構
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中川 行人
日電アネルバ株式会社研究開発本部
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後藤 哲二
東邦大学理学部
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大塚 康二
サンケン電気
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田中 武
広島工業大学
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矢部 勝昌
北海道工業技術研究所
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川畑 敬志
広島工業大学
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田村 繁治
大阪工業技術研究所
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斎藤 順雄
宮崎大学
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福田 茂樹
高エネルギー加速器研究機構
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穴見 昌三
高エネルギー物理学研究所
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林 和孝
三菱電機通信機製作所
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井上 成美
防衛大学校
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柏原 茂
防衛大学校
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尾崎 立哉
防衛大学校
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戸嶋 成忠
防衛大学校
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吉田 貞史
電子技術総合研究所
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浅野 清光
高エネルギー加速器研究機構
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工藤 勲
電子技術総合研究所
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柿原 和久
高エネルギー物理学研究所
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高橋 直樹
日本真空技術(株)
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辻 泰
(株)アルバック・コーポレートセンター
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秋道 斉
(株)アルバック・コーポレートセンター
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竹内 協子
(株)アルバック・コーポレートセンター
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荒井 孝夫
(株)アルバック・コーポレトーセンター
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田中 智成
(株)アルバック・コーポレトーセンター
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野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
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橋場 正男
北海道大学工学部
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山科 俊郎
北海道大学工学部
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池田 省三
金属材料技術研究所
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蟹江 壽
東京理科大学
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広畑 優子
北海道大学工学部
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戸部 了己
日電アネルバ株式会社
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佐々木 雅夫
日電アネルバ株式会社
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岡田 修
日電アネルバ株式会社
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細川 直吉
日電アネルバ株式会社
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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稲吉 さかえ
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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三沢 俊司
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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永関 一也
山梨大学工学部
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楠 秀樹
山梨大学工学部
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斉藤 幸典
山梨大学工学部
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菅ノ又 伸治
山梨大学工学部
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小川 政俊
東芝
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石川 稜威男
山梨大学工学部
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大手 丈夫
群馬工業高等専門学校
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伊佐 弘
大阪工業大学
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茶谷原 昭義
大阪工業技術研究所
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阪口 享
大阪工業技術研究所
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泉 順
群馬工業高等専門学校電子情報工学科
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根岸 恒雄
群馬工業高等専門学校
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藤井 隆満
(株)セントラル硝子
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上條 栄治
龍谷大学理工学部
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遠藤 和弘
電子技術総合研究所
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市川 洋
松下中央研究所
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瀬恒 謙太郎
松下中央研究所
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吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校電気工学科
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中尾 節男
名古屋工業技術研究所
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宮川 草児
名古屋工業技術研究所
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上條 長生
大阪工業技術研究所
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松岡 長
鳥取大工
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圓山 敬史
鳥取大工
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原田 寛治
鳥取大工
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岸田 悟
鳥取大工
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徳高 平蔵
鳥取大工
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藤村 喜久郎
鳥取大工
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小柳 剛
山口大工
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塩川 善郎
JRCAT(アトムテクノロジー研究体)-ATP
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菊地 俊雄
日電アネルバ株式会社
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国分 清秀
電子技術総合研究所
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伊ヶ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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斎藤 順雄
高松工業高等専門学校
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中村 茂昭
高松工専
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齋藤 順雄
高松工業高等専門学校
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吉野 幸夫
(株)村田製作所
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岡野 泰則
東北大学金属材料研究所
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森井 浩
広島工業大学工学部電子工学科
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峯岡 和博
広島工業大学工学部電子工学科
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伊藤 進
(株)東芝京浜事業所
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興津 和彦
静岡大学電子工学研究所
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中村 茂明
高松工専
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乾 靖彦
静岡大学電子工学研究所
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池山 雅美
名古屋工業技術試験所
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平田 正紘
電子技術総合研究所
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伊藤 進
(株)東芝 電力システム社 京浜事業所
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島田 茂樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室
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丹羽 博昭
名古屋工業技術研究所
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原田 誠
北海道大学工学部原子工学科
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東 健司
(株)村田製作所
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佐藤 勝
ダイゴールド株式会社
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池田 佳直
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
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西浦 正満
ダイゴールド株式会社
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大石 政治
ダイゴールド株式会社
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種村 誠太
名古屋工業技術研究所
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中尾 政之
東京大学工学部産業機械工学科
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中尾 政之
東京大学工学系大学院総合研究機構連携工学研究プロジェクト
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室
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ROWELL Nelson
Institute for National Measurement Standards, National Research Council
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尾高 憲二
株式会社日立製作所
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黒河 明
電子技術総合研究所
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青柳 健二
山梨大学工学部
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佐々木 伸也
山梨大学工学部
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柏原 茂
防衛大学校電気工学科
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芝山 宗昭
四国総合研究所
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相原 育貴
北海道大学工学部
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日野 友明
北海道大学
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中野 寛
龍谷大学理工学研究科
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興津 和彦
静岡大学大学院電子科学研究科
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熊川 征司|
静岡大学電子工学研究所
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太坂 敏明
早稲田大学
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酒井 誠
日本電装(株)
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江崎 和弘
核融合科学研究所
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神田 洋三
東洋大学工学部電気電子工学科
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井谷 誠
広島工業大学工学部電子工学科
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辻村 瑛
徳島文理大学
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谷内 友希子
日本真空技術(株)筑波超材料研
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大谷 杉郎
東海大学 開発工学部素材工学科
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千代田 博宜
日立粉末冶金(株) 松戸工場
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湊 道夫
真空冶金株式会社
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野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
市川 昌和
Jrcat
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滝口 雅夫
松下電器産業株式会社半導体社
著作論文
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
- μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- 4ゾーン消光型分光エリプソメータの試作と応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
- 金属微粒子物性の粒子サイズ依存
- 多重減衰全反射分光測光に於けるパーソナルコンピュータの利用
- 金属膜成長初期過程の高感度測定法--薄膜光導波路の一応用法
- 金属膜成長初期過程及び金属微粒子光物性の研究への多重減衰全反射分光法の応用
- RFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
- 円環マグネットによるrfスパッタ特性の改善
- 透明膜の屈折率と膜厚が分離測定可能な偏光解析法
- オートコリメーション型エリプソメーターによるRFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
- 1p-N-9 貴金属微粒子のd-バンドの粒径依存
- Co-sputter法によるIn添加a-SiC : H薄膜の作製と諸特性
- テトラヘドラル系水素化アモルファス半導体薄膜光センサの分光感度特性
- 蒸着初期の銀微粒子の光吸収
- NiとPd微粒子の光吸収 : 伝導電子間の強い相関相互作用
- ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
- 分光エリプソメトリによる表面・薄膜の解析
- 非晶質材料の経験的誘電関数と膜厚揺らぎモデル
- InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
- サマリー・アブストラクト
- CF4を用いた反応性スパッタリング法で作成したa-SixCyFz薄膜の性質
- 分光エリプソメトリにおける多変数解析の解の単一性
- 分光エリプソメトリ解析に有用な非晶資材料の経験的誘電率関数
- 分光エリプソメトリー解析に有用な非晶質材料の経験的誘電率関数とその応用
- SOI構造の光学的評価
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(I)Ge
- 金属微粒子分散系の光吸収と微粒子物性のサイズ依存
- RFスパッタガラス薄膜の膜厚監視
- 窒素導入マグネトロンスパッタa-SiC:H薄膜の特性 (第31回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- プレ-ナマグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSi1-xGex:Hの特性
- Co-sputter法によるAl及びB添加a-SiC:H薄膜の電気的特性
- マグネトロンスパッタ法によって作製したアモルファスSiC:Hの光学的,電気的特性
- Co-sputter法によるa-SixCyAlz:H薄膜の作製と特性 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- Co-sputter法によるB添加a-SiC:H薄膜の作製と光学的特性 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)