鈴木 晶雄 | 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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概要
関連著者
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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奥田 昌宏
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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奥田 昌宏
奥田技術事務所
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安倉 秀明
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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中村 篤宏
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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上西 俊道
大阪産業大学工学研究科
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和田 直己
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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安井 光弘
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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安居 利将
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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東村 佳則
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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沖中 広和
株式会社 日立ハイテクノロジーズ
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甫木 茂靖
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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坂本 吉亮
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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重田 和俊
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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奥島 浩久
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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池田 和巧
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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中村 圭太
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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生田 公洋
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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上原 賢二
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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高瀬 康則
大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科
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前田 剛
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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沖中 広和
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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上野 優樹
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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中村 吉伸
大阪産業大学工学研究科
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一井 直弥
大阪産業大学工学研究科
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橋本 和博
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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中村 真貴
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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三代 一真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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重田 和俊
大阪産業大学
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三塚 和弘
東邦亜鉛株式会社
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谷 善之
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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秋月 真
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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守 昭人
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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坂本 淳
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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三津橋 武
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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本島 修
核融合科学研究所
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酒井 拓也
大阪産業大学工学研究科
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金子 英司
東洋大学工学部
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加藤 茂樹
高エネルギー加速器研究機構
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久保 和也
北海道大学工学部
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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高橋 夏木
日本真空技術(株)産業機器事業部
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大久保 治
日本真空技術(株)産業機器事業部
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斎藤 和雄
名古屋工業技術研究所
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鈴木 芳生
日立製作所中央研究所
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清水 肇
電子技術総合研究所
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小林 康宏
川崎製鉄(株)技術研究所
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畑村 洋太郎
東京大学工学部
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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村上 寛
電子技術総合研究所
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藤田 雅美
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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広畑 優子
北海道大学大学院工学研究科
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上田 新次郎
株式会社日立製作所機械研究所
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山西 博史
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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石川 雄一
株式会社日立製作所機械研究所
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斎藤 一也
日本真空技術株式会社
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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関根 重幸
電子技術総合研究所
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兼田 真司
大阪産業電子情報通信工学科
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青木 孝憲
大阪産業電子情報通信工学科
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松下 辰彦
大阪産業電子情報通信工学科
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鈴木 晶雄
大阪産業電子情報通信工学科
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李 坪燃
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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道畑 良太
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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吉田 和夫
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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奥野 智也
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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佐藤 幸恵
日本真空技術(株)筑波超材研
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黒河内 智
理化学研究所
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渡部 秀
理化学研究所
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本間 禎一
千葉工業大学工学部
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赤石 憲也
核融合科学研究所
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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小島 昭
群馬工業高等専門学校
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高橋 謙太郎
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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佐久間 泰
ダイゴールド株式会社
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加藤 隆男
株式会社荏原総合研究所精密電子研究所
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高木 祥示
東邦大学理学部
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柿原 和久
高エネルギー加速器研究機構
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関口 敦
日電アネルバ
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加藤 正明
群馬工業高等専門学校
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久保田 雄輔
核融合科学研究所
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斉藤 芳男
高エネルギー物理学研究所
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永井 康睦
日立電線(株)システムマテリアル研究所
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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大谷 和男
大阪工業技術研究所
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道園 真一郎
高エネルギー加速器研究機構
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中川 行人
日電アネルバ株式会社研究開発本部
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後藤 哲二
東邦大学理学部
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大塚 康二
サンケン電気
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田中 武
広島工業大学
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矢部 勝昌
北海道工業技術研究所
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川畑 敬志
広島工業大学
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田村 繁治
大阪工業技術研究所
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福田 茂樹
高エネルギー加速器研究機構
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穴見 昌三
高エネルギー物理学研究所
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林 和孝
三菱電機通信機製作所
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井上 成美
防衛大学校
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柏原 茂
防衛大学校
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尾崎 立哉
防衛大学校
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戸嶋 成忠
防衛大学校
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吉田 貞史
電子技術総合研究所
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浅野 清光
高エネルギー加速器研究機構
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工藤 勲
電子技術総合研究所
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柿原 和久
高エネルギー物理学研究所
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高橋 直樹
日本真空技術(株)
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辻 泰
(株)アルバック・コーポレートセンター
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秋道 斉
(株)アルバック・コーポレートセンター
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竹内 協子
(株)アルバック・コーポレートセンター
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荒井 孝夫
(株)アルバック・コーポレトーセンター
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田中 智成
(株)アルバック・コーポレトーセンター
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橋場 正男
北海道大学工学部
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山科 俊郎
北海道大学工学部
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池田 省三
金属材料技術研究所
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蟹江 壽
東京理科大学
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広畑 優子
北海道大学工学部
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戸部 了己
日電アネルバ株式会社
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佐々木 雅夫
日電アネルバ株式会社
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岡田 修
日電アネルバ株式会社
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細川 直吉
日電アネルバ株式会社
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田辺 憲司
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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稲吉 さかえ
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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三沢 俊司
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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永関 一也
山梨大学工学部
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楠 秀樹
山梨大学工学部
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斉藤 幸典
山梨大学工学部
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菅ノ又 伸治
山梨大学工学部
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石川 稜威男
山梨大学工学部
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大手 丈夫
群馬工業高等専門学校
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伊佐 弘
大阪工業大学
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茶谷原 昭義
大阪工業技術研究所
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阪口 享
大阪工業技術研究所
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泉 順
群馬工業高等専門学校電子情報工学科
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根岸 恒雄
群馬工業高等専門学校
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藤井 隆満
(株)セントラル硝子
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上條 栄治
龍谷大学理工学部
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遠藤 和弘
電子技術総合研究所
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市川 洋
松下中央研究所
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瀬恒 謙太郎
松下中央研究所
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吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校電気工学科
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中尾 節男
名古屋工業技術研究所
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宮川 草児
名古屋工業技術研究所
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上條 長生
大阪工業技術研究所
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松岡 長
鳥取大工
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圓山 敬史
鳥取大工
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原田 寛治
鳥取大工
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岸田 悟
鳥取大工
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徳高 平蔵
鳥取大工
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藤村 喜久郎
鳥取大工
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小柳 剛
山口大工
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塩川 善郎
JRCAT(アトムテクノロジー研究体)-ATP
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菊地 俊雄
日電アネルバ株式会社
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中村 茂昭
高松工業高等専門学校
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国分 清秀
電子技術総合研究所
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伊ヶ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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斎藤 順雄
高松工業高等専門学校
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仲秋 勇
静岡県工業技術センター
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後藤 智弘
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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吉野 幸夫
(株)村田製作所
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森井 浩
広島工業大学工学部電子工学科
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峯岡 和博
広島工業大学工学部電子工学科
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伊藤 進
(株)東芝京浜事業所
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池山 雅美
名古屋工業技術試験所
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平田 正紘
電子技術総合研究所
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伊藤 進
(株)東芝 電力システム社 京浜事業所
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島田 茂樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室
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丹羽 博昭
名古屋工業技術研究所
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原田 誠
北海道大学工学部原子工学科
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東 健司
(株)村田製作所
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佐藤 勝
ダイゴールド株式会社
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池田 佳直
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
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西浦 正満
ダイゴールド株式会社
-
大石 政治
ダイゴールド株式会社
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種村 誠太
名古屋工業技術研究所
-
中尾 政之
東京大学工学部産業機械工学科
-
中尾 政之
東京大学工学系大学院総合研究機構連携工学研究プロジェクト
-
石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室
-
尾高 憲二
株式会社日立製作所
-
黒河 明
電子技術総合研究所
-
青柳 健二
山梨大学工学部
-
佐々木 伸也
山梨大学工学部
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柏原 茂
防衛大学校電気工学科
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相原 育貴
北海道大学工学部
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日野 友明
北海道大学
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中野 寛
龍谷大学理工学研究科
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江崎 和弘
核融合科学研究所
-
井谷 誠
広島工業大学工学部電子工学科
-
辻村 瑛
徳島文理大学
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谷内 友希子
日本真空技術(株)筑波超材料研
-
大谷 杉郎
東海大学 開発工学部素材工学科
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千代田 博宜
日立粉末冶金(株) 松戸工場
著作論文
- GZO透明導電膜へのNd:YAGレーザによるアニーリング効果
- COP基板上に成膜した酸化亜鉛系透明導電膜
- 薄膜太陽電池用ダブルテクスチャー型ACZO透明導電膜の作製
- PLD法によりCOP基板上へ作製した酸化亜鉛系透明導電膜の諸特性
- プラスチック基板上に堆積した酸化亜鉛系透明導電膜のレーザーアニーリングによる特性改善
- 磁場印加したパルスレーザー堆積(PLD)法で作製した酸化亜鉛系透明導電膜
- RFマグネトロンスパッタ法にて作成したZnO:Al薄膜の電気的光学的性質
- 相変化形Ag-In-Te-Sb系光記録膜
- Ga-Se-Te-Ge系薄膜を用いた光メモリ素子
- Ga-Se-Te系薄膜を用いた光メモリ素子
- As-Se-Tl系半導体の電気的光学的性質と熱電発電素子への応用
- N2レ-ザ励起による色素レ-ザ発振--可視パルス光源の製作
- 非晶質Ge-Se-Te系薄膜のPhotocrystallization
- 非晶質Tex(Ge0.2Se0.8)1-x薄膜の電気的光学的性質とその応用 (〔大阪産業大学〕学園創立50周年記念)
- 非晶質GexSe1-x薄膜のphotocrystallization
- N2ガスレ-ザの製作
- 非晶質GexSe1-x薄膜ショットキ-ダイオ-ドの光起電力効果
- 非晶質GaxSe1-x-SnO2ヘテロ構造の光起電力効果
- 非晶質GexSe1-x薄膜の電気的光学的性質とその応用--光起電力素子
- In-Te系半導体中の高電流密度通路
- 非晶質InxSe1-x薄膜の電気的光学的性質とその応用--光起電力素子
- Te-In系半導体の電流-電圧特性とその応用
- レ-ザ-アブレ-ション法にて作製したZnO:Al薄膜の電気的光学的特性
- 高周波スパッタリング法にて作製したZnO : Al薄膜の結晶成長-スパッタ圧力依存性-
- Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-O系高温超伝導体のバルクおよび薄膜の作成
- 消去可能Ag-In-Te-Sb系光記録膜
- 書き換え可能In-Se-Tl系光記録膜
- パルスレーザー堆積法で作製した酸化亜鉛・酸化ガリウム系光記録膜
- β-FeSi_2薄膜のNd:YAGレーザーによるアニーリング効果
- ArFエキシマレーザーによりレーザーアニーリングを施したβ-FeSi_2薄膜
- 省インジウムを目的として作製した積層型透明導電膜の特性
- スプリットターゲットを用いるパルスレーザー堆積法により作製したGa_2O_3-In_2O_3系透明導電膜
- パルスレーザー堆積法によりSnO2 系材料を用いて作製した積層型透明導電膜
- パルスレーザー堆積法で作製した積層型透明導電膜の特性
- Nd:YAGレーザーを用いた酸化亜鉛系透明導電膜へのアニール
- ポリマー基板上へ作製したZnOバッファ層によるAl添加ZnO透明導電膜の特性改善
- パルスレーザー堆積法により作製したアルミドープ酸化亜鉛透明導電膜の超薄膜化
- パルスレーザー堆積法により作製したモリブデン酸化物光記録膜の光記録特性
- パルスレーザー堆積法によりシクロオレフィンポリマー基板上に作製したアルミニウムドープ酸化亜鉛系透明導電膜
- パルスレーザー堆積法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜の仕事関数制御
- 高周波マグネトロンスパッタ法により作製したFe系酸化物光記録膜の光記録特性
- パルスレーザー堆積法によるZnO系透明導電膜のバッファー層付有機基板上への成膜
- ArFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー堆積法で成膜した積層透明導電膜の特性
- パルスレーザ堆積法により低温基板に作製した酸化亜鉛系透明導電膜
- パルスレーザー堆積法により低温成膜したAl-Zn-O系透明導電膜
- Optimization of transparent conducting Al-doped zinc oxide filmsprepared by pulsed laser deposition
- パルスレーザー堆積法によるGa-Zn-O系透明導電膜の成膜温度の低温化
- パルスレーザー堆積法により作製したZnO系透明導電膜の特性改善
- パルスレーザー堆積法によりSnO_2系材料を用いて作製した積層型透明導電膜
- GZO透明導電膜へのNd:YAGレーザによるアニーリング効果
- プラスチック基板上に堆積した酸化亜鉛系透明導電膜のレーザーアニーリングによる特性改善
- 超薄膜領域におけるパルスレーザー堆積法で作製したガリウム添加酸化亜鉛透明導電膜
- パルスレーザー堆積法による酸化亜鉛系透明導電膜の有機基板上への成膜
- PLD法によりPVC基板上へ作製した酸化亜鉛系透明導電膜の成膜条件の最適化
- パルスレーザー堆積法により作製したWO_3光記録膜(2)
- レーザー波長を変化させたパルスレーザー堆積法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜
- レーザーアブレーション法により作製したアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)膜のレーザーアニールによる特性改善
- Nd:YAG レーザを用いたPLD法によるβ-FeSi_2薄膜の作製と評価
- ArFエキシマレーザーによるβ-FeSi_2薄膜の作製とアニール効果
- Nd:YAGレーザーを用いたパルスレーザー堆積法によるβ-FeSi_2薄膜の作製と特性改善
- レーザーアブレーション法により作製した透明導電膜のレーザーアニールによる特性改善
- パルスレーザー堆積法でプルームに磁場を印加して作製した酸化亜鉛系透明導電膜のドーパント依存性
- Low Resistivity Transparent Conducting Oxide Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
- PLD法により作製したZnO/In_2O_3積層構造光記録膜
- 磁場を印加したPLD法で作製した低抵抗AZO系透明導電膜
- パルスレーザー堆積法でプルームに磁場を印加して作製したAl-Zn-O系透明導電膜
- 加熱したメッシュを用いたレーザーアブレーション法により作製した酸化亜鉛透明導電膜
- ブルーレーザー対応型光ディスクにおける特性の改善
- 高出力エキシマレーザーを用いたパルスレーザー堆積法で作製した酸化インジウムスズ透明導電膜
- 高出力パルスレーザーを用いたパルスレーザー堆積法で作製した鉄シリサイド(β-FeSi_2)薄膜
- 高周波スパッタリング法により作製した金属・酸化物積層型光記録膜
- 酸化物スプリットターゲットを用いたパルスレーザー堆積法で作製した積層型光記録膜
- ArFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー堆積法で作製したITO透明導電膜の電気特性の成膜速度依存性
- パルスレーザー堆積法により作製したZoO系光記録膜(II)
- 金属+酸化物混合薄膜を用いた青色レーザー対応型高密度光ディスク
- 電界を印加したPLD法で作製した酸化亜鉛系透明導電膜
- レーザーアブレーション法によって作製したZnO:A1薄膜の電気的光学的特性
- 基板回転型高周波マグネトロンスパッタ法にて作成したZnO:Al透明導電膜の特性
- RFマグネトロンスパッタ法にて作成したZnO:Al薄膜の結晶化過程
- 高周波スパッタリング法による相変化形Ge-Sb-Te+Ag系光記録膜
- パルスレーザー堆積法により作製した凹凸構造を有するZnO系透明導電膜
- スプリットターゲットを用いたレーザアブレーション法によるZnO系透明導電膜の作製
- 酸化亜鉛系ホモp-i-n接合の作製と光起電力特性
- パルスレーザー堆積法を用いて作製した積層型透明導電膜
- スプリットターゲットを用いるパルスレーザー堆積法により作製したZnO系透明導電膜
- パルスレーザー堆積法でプルームに垂直な磁場を印加して作製したZnO:Ga透明導電膜
- パルスレーザー堆積法を用いて磁場下で作製した透明導電膜
- 高周波スパッタリング法を用いて作製した金属インジウム・酸化ガリウム光記録膜
- 多元同時スパッタリング法により作製したZnO系光記録膜
- 高周波スパッタ法により作製したZnO系光記録膜
- パルスレーザー堆積法により作製した凹凸構造を有するZnO系透明導電膜(II)
- 高周波スパッタ法により作製したGaIn系酸化物光記録膜
- パルスレーザー堆積法により作製したGa_2O_3+In_2O_3光記録膜
- スパッタ法により作製したZnO系光記録膜
- サマリー・アブストラクト
- パルスレーザー堆積法で作製した酸化亜鉛・酸化ガリウム系光記録膜
- β-FeSi_2薄膜のNd:YAGレーザーによるアニーリング効果
- パルスレーザー堆積法により作製した耐熱特性を有する酸化亜鉛上のアンチモンドープ酸化スズ積層型透明導電膜の電気的・光学的特性
- (3) 透明導電膜
- PLD法により作成したZnO系光記録膜
- GaxSe1-xと薄膜光メモリにおける結晶-非晶転移機構
- 磁場印加PLD法を用いて作製した酸化チタン添加酸化亜鉛透明導電膜 (小特集 第52回真空に関する連合講演会プロシーディングス(1))
- 磁場印加PLD法を用いて作製した酸化チタン添加酸化亜鉛透明導電膜
- 有機基板上に成膜したTZO透明導電膜に関する研究
- 酸化シリコンを添加した酸化亜鉛系透明導電膜へのレーザーアニーリング
- 非晶質InxSe1-x-SnO2構造における光起電力効果