ArFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー堆積法で成膜した積層透明導電膜の特性
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概要
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Approximately 300 nm-thick transparent conducting zinc oxide (TCO) films with a stacking structure of ITO (150 nm) and AZO (150 nm) have been deposited on glass substrates at various temperature. When fabricated with oxygen partial pressure of 0.5 Pa for ITO layer and 0 Pa for AZO layer at substrate temperature of 220°C, the lowest resistivity of 2.04×10-4 Ω•cm and the sheet resistance of 6.83 Ω/□ were obtained for the TCO films. These data were almost the same to that of 300 nm-thick ITO films, which was useful to the reduction of rare indium element.
- 日本真空協会の論文
- 2007-03-20
著者
-
青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥田 昌宏
奥田技術事務所
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
中村 真貴
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
安倉 秀明
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
東村 佳則
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥野 智也
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
安倉 秀明
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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