レーザーアブレーション法により作製したアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)膜のレーザーアニールによる特性改善
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概要
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ZnO films doped with 1.5 wt% Al2O3 (AZO films) have been deposited, in oxygen with a partial pressure of 0.1 Pa, on glass substrate using a pulsed laser deposition technique with an ArF laser (λ = 193 nm). When as-deposited, a repetition rate of 10 Hz, an energy density of 4 J/cm2, and an irradiation time of 30 min were used. After an annealing performed with the energy density 10∼40 mJ/cm2 for 30 min, it was found that resistivity decreased from 1.26×10-3 Ω · cm to 9.58×10-4 Ω · cm and surface roughness of the films Ra decreased from 2.1 nm to 1.8 nm.
- 日本真空協会の論文
- 2005-03-20
著者
-
青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥田 昌宏
奥田技術事務所
-
奥田 昌宏
大阪府立大学工学部電子物理工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
甫木 茂靖
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
奥田 昌宏
大阪府立大学
-
秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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