パルスレーザー堆積法によるZnO系透明導電膜のバッファー層付有機基板上への成膜
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概要
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Approximately 390 nm-thick Al-doped transparent conducting zinc oxide films (AZO) have been deposited on substrates with Al2O3 buffer layer (20~505 nm-thick) by pulsed laser deposition (PLD) using ArF excimer laser (λ=193 nm). When fabricated with oxygen partial of pressure 1.3 Pa, the lowest resistivity obtained was 6.99×10-4 Ω•cm. Also, approximately 240 nm-thick Ga-doped transparent conducting zinc oxide films (GZO) have been deposited on substrates with Ga2O3 buffer layer. The lowest resistivity of 2.86×10-4 Ω•cm was obtained at oxygen partial of pressure 0.9 Pa.
- 日本真空協会の論文
- 2007-03-20
著者
-
青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥田 昌宏
奥田技術事務所
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
中村 篤宏
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
上原 賢二
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
安倉 秀明
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
安倉 秀明
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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