β-FeSi_2薄膜のNd:YAGレーザーによるアニーリング効果
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概要
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Iron disilicide (β-FeSi<SUB>2</SUB>) thin films were deposited on Si (100) substrate by a pulsed laser deposition using SHG of a Nd : YAG laser. The film crystallizations were varied by annealing time of β-FeSi<SUB>2</SUB> films irradiated by Nd : YAG laser. From XRD spectra of these films, peaks of β-FeSi<SUB>2</SUB> (400) and (800) were identified. It was found from FE-SEM observations that surfaces of the β-FeSi<SUB>2</SUB> films annealed for 8 h were flatter than that of the as-deposited β-FeSi<SUB>2</SUB> films.
- 日本真空協会の論文
- 2003-03-20
著者
-
青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥田 昌宏
奥田技術事務所
-
奥田 昌宏
大阪府立大学工学部電子物理工学科
-
奥島 浩久
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
安井 光弘
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
奥田 昌宏
大阪府立大学
-
松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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