Nd:YAGレーザーを用いた酸化亜鉛系透明導電膜へのアニール
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概要
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For improvement of a fabrication process at low temperature of transparent conducting zinc oxide films, gallium-doped zinc oxide (GZO) films have been deposited on glass substrates at room temperature by pulsed laser depositon using Nd:YAG laser (FHG of λ=266 nm, 1.0 J/cm2), and then annealed by irradiating pulsed laser beams of SHG (λ=532 nm, 40~60 mJ/cm2), THG (λ=355 nm, 20~60 mJ/cm2) and FHG (λ=266 nm, 20~40 mJ/cm2) at room temperature. As a result, the resisivity was improved from 8.45×10-4 to 6.27×10-4 Ω•cm for the films annealed at FHG of energy density of 40 mJ/cm2 (improvement effect of 23.2%)
- 日本真空協会の論文
- 2009-03-20
著者
-
青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥田 昌宏
奥田技術事務所
-
中村 吉伸
大阪産業大学工学研究科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
中村 圭太
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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