パルスレーザー堆積法により作製したZnO系透明導電膜の特性改善
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概要
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Approximately 200-nm-thick 1.5 wt.% Al-doped zinc oxide (AZO: 1.5 wt.% Al2O3) films have been deposited on glass substrates at 100°C by pulsed laser deposition (PLD) using the fourth harmonic generation (FHG) of Nd: YAG laser (λ=266 nm). In order to reduce resistivity of as-deposited films, annealing process was carried out by ArF excimer laser with laser energy density of 34 mJ/cm2. As a result, the value of resistivity was not almost improved: 1.54×10-3 Ω•cm (for as-deposited) and 1.33×10-3 Ω•cm (for annealed). On the other hand, for the films annealed by fourth harmonic generation of Nd:YAG laser with laser energy density of 20 mJ/cm2, the value of resistivity was reduced from 1.36×10-3 Ω•cm to 8.34×10-4 Ω•cm.
- 日本真空協会の論文
- 2006-03-20
著者
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青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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奥田 昌宏
奥田技術事務所
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
中村 篤宏
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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安倉 秀明
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
東村 佳則
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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高瀬 康則
大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科
-
秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
高瀬 康則
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
安倉 秀明
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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