パルスレーザー堆積法により作製したアルミドープ酸化亜鉛透明導電膜の超薄膜化
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概要
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Approximately 20~110 nm-thick Al-doped transparent conducting zinc oxide (AZO) films have been deposited on glass substrates at temperature of 200~300°C by pulse laser deposition (PLD) using ArF excimer laser (λ=193 nm). When fabricated at the substrate temperature of 260°C, 40 nm-thick AZO films showed the lowest resistivity of 2.61×10-4 Ω•cm.
- 日本真空協会の論文
- 2008-05-20
著者
-
青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥田 昌宏
奥田技術事務所
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
生田 公洋
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
中村 真貴
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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