パルスレーザー堆積法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜の仕事関数制御
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概要
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Approximately 200-nm-thick transparent conducting GZO films (ZnO doped with 5 wt.% Ga2O3) have been deposited on glass substrates at room temperature using a pulsed laser deposition (PLD) using Nd:YAG laser (λ=1064 nm). It was recognized that the work function of the GZO films increased from 4.6 eV for the as-deposited state to 5.1 eV for the annealed state at 400°C.
- 日本真空協会の論文
- 2008-03-20
著者
-
青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥田 昌宏
奥田技術事務所
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
吉田 和夫
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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